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Search Results:77256~  /   Part Number:  /   Stock Type:ALL  /   Quantity:0PCS~

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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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B-1
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IRFH8334TRPBF
INFINEON

86  

CoreStaff Part Number:st75141405

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 14A(TA)、44A(Tc) 1180 pF @ 10 V 3.2W(Ta)、30W(Tc) 9ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH9310TRPBF
INFINEON

83  

CoreStaff Part Number:st75141406

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250 pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA 58 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH9310TRPBF
INFINEON

RoHS
1,906 22+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76438172

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250 pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA 58 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH9310TRPBF
INFINEON

11,985 25+  

End of Life CoreStaff Part Number:st49404562

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250 pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA 58 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFHM3911TRPBF
INFINEON

2,457  

CoreStaff Part Number:st75141407

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 3.2A(TA)、20A(Tc) 760 pF @ 50 V 2.8W(Ta)、29W(Tc) 115リオーム @ 6.3A、10V 4V @ 35µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3x3)
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IRFHM3911TRPBF
INFINEON

RoHS
5,980 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76467361

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 3.2A(TA)、20A(Tc) 760 pF @ 50 V 2.8W(Ta)、29W(Tc) 115リオーム @ 6.3A、10V 4V @ 35µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
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IRFHM792TRPBF
INFINEON

157  

CoreStaff Part Number:st75141408

Infineon Technologies HEXFET® 100V 2.3A 251pF @ 25V 2.3W 195ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 10μA 6.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)、Power33
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IRFHM792TRPBF
INFINEON

RoHS
15,910 20+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76419204

Infineon Technologies HEXFET® 100V 2.3A 251pF @ 25V 2.3W 195ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 10μA 6.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)、Power33
Quality Guaranteed
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IRFHM830TRPBF
INFINEON

12,000 16+  

CoreStaff Part Number:st71361792

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155 pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM830TRPBF
INFINEON

6  

CoreStaff Part Number:st75141409

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155 pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
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IRFHM830TRPBF
INFINEON

RoHS
7,827 22/23+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76396584

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155 pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
Quality Guaranteed
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IRFHM830TRPBF
INFINEON

7,827 23+  

CoreStaff Part Number:st63301441

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155 pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
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IRFHM831TRPBF
INFINEON

3,780 17+  

CoreStaff Part Number:st71361793

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 14A(TA)、40A(Tc) 1050 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、27W(Tc) 7.8ミリオーム @ 12A、10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM831TRPBF
INFINEON

3  

CoreStaff Part Number:st75141410

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 14A(TA)、40A(Tc) 1050 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、27W(Tc) 7.8ミリオーム @ 12A、10V 2.35V @ 25µA 16 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM8329TRPBF
INFINEON

50  

CoreStaff Part Number:st75141411

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 16A(TA)、57A(Tc) 1710 pF @ 10 V 2.6W(Ta)、33W(Tc) 6.1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 25µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM8330TRPBF
INFINEON

100  

CoreStaff Part Number:st75141412

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 16A(TA) 1450 pF @ 25 V 2.7W(Ta)、33W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)、Power33
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IRFHM8334TRPBF
INFINEON

8,950 21+22+  

CoreStaff Part Number:st70448935

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 13A(TA) 1180 pF @ 10 V 2.7W(Ta)、28W(Tc) 9ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)、Power33
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF
INFINEON

2,000 22+  

CoreStaff Part Number:st76078891

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 10V、20V 11A(TA)、24A(Tc) 1543 pF @ 25 V 2.8W(Ta) 10ミリオーム @ 11A、20V 2.4V @ 25µA 48 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF
INFINEON

531  

CoreStaff Part Number:st75141413

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 10V、20V 11A(TA)、24A(Tc) 1543 pF @ 25 V 2.8W(Ta) 10ミリオーム @ 11A、20V 2.4V @ 25µA 48 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF
INFINEON

RoHS
18,410 22+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76395607

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 10V、20V 11A(TA)、24A(Tc) 1543 pF @ 25 V 2.8W(Ta) 10ミリオーム @ 11A、20V 2.4V @ 25µA 48 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(3x3)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHS8242TRPBF
INFINEON

100  

CoreStaff Part Number:st75141414

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 9.9A(TA)、21A(Tc) 653 pF @ 10 V 2.1W(Ta) 13ミリオーム @ 8.5A、10V 2.35V @ 25µA 10.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PQFN(2x2)(DFN2020)
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B-1
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IRFHS8342TRPBF
INFINEON

5  

CoreStaff Part Number:st75141415

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 8.8A(TA)、19A(Tc) 600 pF @ 25 V 2.1W(Ta) 16ミリオーム @ 8.5A、10V 2.35V @ 25µA 8.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PQFN(2x2)(DFN2020)
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IRFHS9301TRPBF

IRFHS9301TRPBF
INFINEON

RoHS
8,741 20+   MOQ : 2,500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76375950

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 6A(TA)、13A(Tc) 580 pF @ 25 V 2.1W(Ta) 37ミリオーム @ 7.8A、10V 2.4V @ 25µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PQFN(2x2)(DFN2020)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFHS9301TRPBF

IRFHS9301TRPBF
INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141416

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 6A(TA)、13A(Tc) 580 pF @ 25 V 2.1W(Ta) 37ミリオーム @ 7.8A、10V 2.4V @ 25µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PQFN(2x2)(DFN2020)
Quality Guaranteed
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IRFHS9351TRPBF

IRFHS9351TRPBF
INFINEON

47  

CoreStaff Part Number:st75141417

Infineon Technologies HEXFET® 30V 2.3A 160pF @ 25V 1.4W 170ミリオーム @ 3.1A、10V 2.4V @ 10μA 3.7nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PQFNデュアル(2x2)
Quality Guaranteed
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IRFI1310NPBF

IRFI1310NPBF
INFINEON

8  

CoreStaff Part Number:st75141418

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 24A(Tc) 1900 pF @ 25 V 56W(Tc) 36ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
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IRFI1310NPBF

IRFI1310NPBF
INFINEON

RoHS
5,176 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76507873

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 24A(Tc) 1900 pF @ 25 V 56W(Tc) 36ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI3205PBF

IRFI3205PBF
INFINEON

3,074 22+  

CoreStaff Part Number:st76078892

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 64A(Tc) 4000 pF @ 25 V 63W(Tc) 8ミリオーム @ 34A、10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI3205PBF

IRFI3205PBF
INFINEON

1,780  

CoreStaff Part Number:st75141419

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 64A(Tc) 4000 pF @ 25 V 63W(Tc) 8ミリオーム @ 34A、10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
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IRFI3205PBF

IRFI3205PBF
INFINEON

RoHS
3,922 20+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76456584

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 64A(Tc) 4000 pF @ 25 V 63W(Tc) 8ミリオーム @ 34A、10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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199  

CoreStaff Part Number:st75141420

Quality Guaranteed
B-1
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IRFI4110GPBF

IRFI4110GPBF
INFINEON

5  

CoreStaff Part Number:st75141421

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 72A(Tc) 9540 pF @ 50 V 61W(Tc) 4.5ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI4212H-117P

IRFI4212H-117P
INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141422

Infineon Technologies Trench Mosfet 100V 11A 490pF @ 50V 18W 72.5ミリオーム @ 6.6A、10V 5V @ 250μA 18nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-5フルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI4229PBF
INFINEON

17  

CoreStaff Part Number:st75141423

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250V 10V 19A(Tc) 4480 pF @ 25 V 46W(Tc) 46ミリオーム @ 11A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -40°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
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IRFI4321PBF

IRFI4321PBF
INFINEON

RoHS
5,000 21+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76488672

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 34A(Tc) 4440 pF @ 50 V 46W(Tc) 16ミリオーム @ 20A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFI4321PBF

IRFI4321PBF
INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141424

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 34A(Tc) 4440 pF @ 50 V 46W(Tc) 16ミリオーム @ 20A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI4410ZPBF

IRFI4410ZPBF
INFINEON

8  

CoreStaff Part Number:st75141425

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 43A(Tc) 4910 pF @ 50 V 47W(Tc) 9.3ミリオーム @ 26A、10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI530NPBF

IRFI530NPBF
INFINEON

45  

CoreStaff Part Number:st75141426

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 12A(Tc) 640 pF @ 25 V 41W(Tc) 110ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-2
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IRFI540NPBF

IRFI540NPBF
INFINEON

RoHS
3,788 22/25+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76424779

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 20A(Tc) 1400 pF @ 25 V 54W(Tc) 52ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 94 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
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IRFI840G
INTERNATIONAL RECTIFIER

550 NA  

CoreStaff Part Number:st68903978

INTERNATIONAL RECTIFIER Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500V 10V 4.6A(Tc) 1300 pF @ 25 V 40W(Tc) 850ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-3
Quality Guaranteed
B-1
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IRFIZ34NPBF

IRFIZ34NPBF
INFINEON

77  

CoreStaff Part Number:st75141427

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 21A(Tc) 700 pF @ 25 V 37W(Tc) 40ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-2
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IRFIZ44NPBF

IRFIZ44NPBF
INFINEON

RoHS
4,541 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76509205

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 31A(Tc) 1300 pF @ 25 V 45W(Tc) 24ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFIZ44NPBF

IRFIZ44NPBF
INFINEON

73  

CoreStaff Part Number:st75141428

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 31A(Tc) 1300 pF @ 25 V 45W(Tc) 24ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFIZ48NPBF
INFINEON

RoHS
1,762 19+   MOQ : 250
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76501771

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 40A(Tc) 1900 pF @ 25 V 54W(Tc) 16ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFIZ48NPBF
INFINEON

26  

CoreStaff Part Number:st75141429

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 40A(Tc) 1900 pF @ 25 V 54W(Tc) 16ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220ABフルパッッケージ
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFL014NTRPBF
INFINEON

4  

CoreStaff Part Number:st75141430

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 1.9A(TA) 190 pF @ 25 V 1W(Ta) 160ミリオーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-223
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFL014NTRPBF
INFINEON

20,008 24+  

CoreStaff Part Number:st61363133

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 1.9A(TA) 190 pF @ 25 V 1W(Ta) 160ミリオーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-223
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFL014NTRPBF
INFINEON

RoHS
2,500 22/23+   MOQ : 2,500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76385252

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 1.9A(TA) 190 pF @ 25 V 1W(Ta) 160ミリオーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-223
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFL014NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

52,500 N/A   MOQ : 2,500
SPQ : 2,500

CoreStaff Part Number:st76681726

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 1.9A(TA) 190 pF @ 25 V 1W(Ta) 160ミリオーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-223
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFL024ZTRPBF

IRFL024ZTRPBF
INFINEON

153  

CoreStaff Part Number:st75141431

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 5.1A(TA) 340 pF @ 25 V 1W(Ta) 57.5ミリオーム @ 3.1A、10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-223

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