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ประเภทสต็อก อันดับซัพพลายเออร์	ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	จำนวน	เดทโค้ด / Date Code	ขั้นต่ำ / หลายรายการ	ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	車載対応	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7241PBF INFINEON	630	21+	MOQ : 630 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76421988	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7241TRPBF INFINEON	12,440	22/25+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76450809	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7241TRPBF INFINEON	50			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141231	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7301TRPBF INFINEON	8	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903802	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	5.2A	660pF @ 15V	2W	50ミリオーム @ 2.6A、4.5V	700mV @ 250μA	20nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7303TRPBF INFINEON	26			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141232	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	520pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7303TRPBF INFINEON	4,000	20+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76367817	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	520pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON	1,484	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078868	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON	51			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141233	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681680	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER	12	2008-09		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903808	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7307TRPBF INFINEON	3			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141234	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	5.2A、4.3A	660pF @ 15V	2W	50ミリオーム @ 2.6A、4.5V	700mV @ 250μA	20nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309PBF INFINEON	75			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141235	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	1,190			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141236	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	12,500	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361764	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	10,096	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st60358477	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7311TR INFINEON	7,000	200310		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st69527298
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7311TRPBF INFINEON	13			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141237	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7313TRPBF INFINEON	303			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141238	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.5A	650pF @ 25V	2W	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250μA	33nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7313TRPBF INFINEON	749	22+	MOQ : 749 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76396451	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.5A	650pF @ 25V	2W	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250μA	33nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	12,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681681
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON	7,869	22/23+	MOQ : 2,500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76388235	Infineon Technologies										2 Nチャンネル（デュアル）
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7314TRPBF INFINEON	4,000	20+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76386652	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	5.3A	780pF @ 15V	2W	58ミリオーム @ 2.9A、4.5V	700mV @ 250μA	29nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7316TRPBF INFINEON	1,514			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141240	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	710pF @ 25V	2W	58ミリオーム @ 4.9A、10V	1V @ 250μA	34nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7316TRPBF INFINEON	4,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76407858	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	710pF @ 25V	2W	58ミリオーム @ 4.9A、10V	1V @ 250μA	34nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7317PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	100	18		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st65374295	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A、5.3A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7317TRPBF INFINEON	93			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141241	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A、5.3A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7317TRPBF INFINEON	9,824	22+		Approx. 16 days	End of Life CoreStaff Part Number：st49404396	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A、5.3A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7317TRPBF INFINEON	1,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76406323	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A、5.3A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7317TRPBF INFINEON	290	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903820	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A、5.3A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7319TRPBF INFINEON	16			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141242	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	-4.9A / 6.5A	650pF @ 25V	2W	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250μA	33nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7319TRPBF INFINEON	1,000	25+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75026497	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	-4.9A / 6.5A	650pF @ 25V	2W	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250μA	33nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7321D2 INTERNATIONAL RECTIFIER	3,220	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st72074495	INTERNATIONAL RECTIFIER	FETKY™	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	4.7A(TA)	710 pF @ 25 V	2W（Ta）	62ミリオーム @ 4.9A、10V	1V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7324TRPBF INFINEON	23,880	25+		Approx. 16 days	End of Life CoreStaff Part Number：st49404398	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	9A	2940pF @ 15V	2W	18ミリオーム @ 9A、4.5V	1V @ 250μA	63nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7324TRPBF INFINEON	2,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76424063	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	9A	2940pF @ 15V	2W	18ミリオーム @ 9A、4.5V	1V @ 250μA	63nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7328TRPBF INFINEON	169			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141243	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	8A	2675pF @ 25V	2W	21ミリオーム @ 8A、10V	2.5V @ 250μA	78nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7329TRPBF INFINEON	20			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141244	Infineon Technologies	HEXFET®	12V	9.2A	3450pF @ 10V	2W	17ミリオーム @ 9.2A、4.5V	900mV @ 250μA	57nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7329TRPBF INFINEON	3,497	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76410824	Infineon Technologies	HEXFET®	12V	9.2A	3450pF @ 10V	2W	17ミリオーム @ 9.2A、4.5V	900mV @ 250μA	57nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7329TRPBF INFINEON	10,075	22+25+		Approx. 16 days	End of Life CoreStaff Part Number：st49404400	Infineon Technologies	HEXFET®	12V	9.2A	3450pF @ 10V	2W	17ミリオーム @ 9.2A、4.5V	900mV @ 250μA	57nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7341GTRPBF INFINEON	289			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141245	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	5.1A	780pF @ 25V	2.4W	50ミリオーム @ 5.1A、10V	1V @ 250μA（最小）	44nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～175°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7341GTRPBF INFINEON	23,192	22/23+	MOQ : 250 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76515452	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	5.1A	780pF @ 25V	2.4W	50ミリオーム @ 5.1A、10V	1V @ 250μA（最小）	44nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～175°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7341TRPBF INFINEON	599			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141246	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7341TRPBF INFINEON	4,000	22/23+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76375986	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Japanese Supplier	IRF7341TRPBF INFINEON	24,000	22+		Approx. 12 days	End of Life CoreStaff Part Number：st50099292	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7341TRPBF INFINEON	100,000	22+		Approx. 16 days	End of Life CoreStaff Part Number：st50161488	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7341TRPBF INFINEON	28,000	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361765	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7341TRPBF INFINEON	1,975	1750		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903821	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7341TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681682	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	4.7A	740pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 4.7A、10V	1V @ 250μA	36nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON	4,609	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76479040	Infineon Technologies										2 Nチャンネル（デュアル）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7342TRPBF INFINEON	1,923			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141247	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	3.4A	690pF @ 25V	2W	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250μA	38nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7342TRPBF INFINEON	20,135	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404403	Infineon Technologies	HEXFET®	55V	3.4A	690pF @ 25V	2W	105ミリオーム @ 3.4A、10V	1V @ 250μA	38nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO