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Search Results:77256~  /   Part Number:  /   Stock Type:ALL  /   Quantity:0PCS~

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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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IRFH5215TRPBF

IRFH5215TRPBF
INFINEON

2,768 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078888

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 5A(TA)、27A(Tc) 1350 pF @ 50 V 3.6W(Ta)、104W(Tc) 58ミリオーム @ 16A、10V 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH5215TRPBF

IRFH5215TRPBF
INFINEON

50  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141379

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 5A(TA)、27A(Tc) 1350 pF @ 50 V 3.6W(Ta)、104W(Tc) 58ミリオーム @ 16A、10V 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH5250DTRPBF

IRFH5250DTRPBF
INFINEON

100  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141380

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 40A(TA)、100A(Tc) 6115 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5250TRPBF
INFINEON

90  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141381

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 45A(TA)、100A(Tc) 7174 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、160W(Tc) 1.15ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5250TRPBF
INFINEON

RoHS
2,207 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76509204

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 45A(TA)、100A(Tc) 7174 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、160W(Tc) 1.15ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5300TRPBF

IRFH5300TRPBF
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141382

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 40A(TA)、100A(Tc) 7200 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、250W(Tc) 1.4ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5300TRPBF

IRFH5300TRPBF
INFINEON

RoHS
4,000 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76420614

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 40A(TA)、100A(Tc) 7200 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、250W(Tc) 1.4ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF
INFINEON

16,000 20+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361788

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 35A(TA)、100A(Tc) 5114 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、110W(Tc) 1.85ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF
INFINEON

24  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141383

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 35A(TA)、100A(Tc) 5114 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、110W(Tc) 1.85ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF
INFINEON

20,892 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404546

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 35A(TA)、100A(Tc) 5114 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、110W(Tc) 1.85ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5302DTRPBF
INFINEON

60  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141384

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 29A(TA)、100A(Tc) 3635 pF @ 25 V 3.6W(Ta)、104W(Tc) 2.5ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141385

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 32A(TA)、100A(Tc) 4400 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、100W(Tc) 2.1ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5302TRPBF

IRFH5302TRPBF
INFINEON

RoHS
990 22+   MOQ : 990
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76432766

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 32A(TA)、100A(Tc) 4400 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、100W(Tc) 2.1ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5304TRPBF

IRFH5304TRPBF
INFINEON

89  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141386

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 22A(TA)、79A(Tc) 2360 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、46W(Tc) 4.5ミリオーム @ 47A、10V 2.35V @ 50µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5406TRPBF

IRFH5406TRPBF
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141387

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 11A(TA)、40A(Tc) 1256 pF @ 25 V 3.6W(Ta)、46W(Tc) 14.4ミリオーム @ 24A、10V 4V @ 50µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF
INFINEON

8  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141388

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 10890 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 1.1V @ 150µA 230 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7004TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

8,000 N/A   MOQ : 4,000
SPQ : 4,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681724

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 100A(Tc) 6419 pF @ 25 V 156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 194 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7004TRPBF

IRFH7004TRPBF
INFINEON

66  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141389

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 100A(Tc) 6419 pF @ 25 V 156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 194 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7004TRPBF

IRFH7004TRPBF
INFINEON

8,393 22+  

Approx. 16 days

End of Life CoreStaff Part Number:st49404550

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 100A(Tc) 6419 pF @ 25 V 156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 194 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF
INFINEON

482  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141390

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 100A(Tc) 6560 pF @ 25 V 156W(Tc) 1.25ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 190 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF
INFINEON

RoHS
4,000 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76469479

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 100A(Tc) 6560 pF @ 25 V 156W(Tc) 1.25ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 190 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF
INFINEON

18,460 19+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361789

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 100A(Tc) 6460 pF @ 25 V 156W(Tc) 3.2ミリオーム @ 75A、10V 3.7V @ 150µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF
INFINEON

RoHS
12,000 22/25+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76444202

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 100A(Tc) 6460 pF @ 25 V 156W(Tc) 3.2ミリオーム @ 75A、10V 3.7V @ 150µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF
INFINEON

20,000 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st60772899

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 100A(Tc) 6460 pF @ 25 V 156W(Tc) 3.2ミリオーム @ 75A、10V 3.7V @ 150µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

RoHS
4,000 22/23+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76391647

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574 pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

217  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141391

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574 pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

16,000 20+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361790

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574 pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

32,000 24+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404556

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574 pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7446TRPBF

IRFH7446TRPBF
INFINEON

100  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141392

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 3174 pF @ 25 V 78W(Tc) 3.3ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 98 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7446TRPBF

IRFH7446TRPBF
INFINEON

RoHS
6,000 21+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76394517

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 85A(Tc) 3174 pF @ 25 V 78W(Tc) 3.3ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 98 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH7545TRPBF

IRFH7545TRPBF
INFINEON

RoHS
3,412 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76500298

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 85A(Tc) 3890 pF @ 25 V 83W(Tc) 5.2ミリオーム @ 51A、10V 3.7V @ 100µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFH7914TRPBF
INFINEON

150  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141393

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 15A(TA)、35A(Tc) 1160 pF @ 15 V 3.1W(Ta) 8.7ミリオーム @ 14A、10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH7921TRPBF
INFINEON

30  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141394

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 15A(TA)、34A(Tc) 1210 pF @ 15 V 3.1W(Ta) 8.5ミリオーム @ 15A、10V 2.35V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
Quality Guaranteed
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IRFH7932TRPBF
INFINEON

4,000 17+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361791

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 24A(TA)、104A(Tc) 4270 pF @ 15 V 3.4W(Ta) 3.3ミリオーム @ 25A、10V 2.35V @ 100µA 51 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
Quality Guaranteed
B-2
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IRFH8201TRPBF
INFINEON

RoHS
3,046 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76506935

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 7330 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 111 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFH8201TRPBF
INFINEON

20  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141395

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 7330 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 111 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFH8202TRPBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141396

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 47A(TA)、100A(Tc) 7174 pF @ 13 V 3.6W(Ta)、160W(Tc) 1.05リオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
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IRFH8303TRPBF
INFINEON

13  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141397

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 43A(TA)、100A(Tc) 7736 pF @ 24 V 3.7W(Ta)、156W(Tc) 1.1リオーム @ 50A、10V 2.2V @ 150µA 179 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8307TRPBF
INFINEON

8,000 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078889

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 42A(TA)、100A(Tc) 7200 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 1.3リオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8307TRPBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141398

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 42A(TA)、100A(Tc) 7200 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 1.3リオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8318TRPBF
INFINEON

45  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141400

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFH8318TRPBF
INFINEON

RoHS
4,403 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76479041

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

Overseas Location

IRFH8318TRPBF
INFINEON

3,098 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404560

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8318TRPBF
INFINEON

3,840 2117  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68903972

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFH8324TR2PBF
INFINEON

25  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141401

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 23A(TA)、90A(Tc) 2380 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8324TRPBF
INFINEON

15  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141402

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 23A(TA)、90A(Tc) 2380 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFH8324TRPBF
INFINEON

RoHS
3,359 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76474397

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 23A(TA)、90A(Tc) 2380 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8325TRPBF
INFINEON

75  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141403

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 21A(TA)、82A(Tc) 2487 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 5ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8330TRPBF
INFINEON

90  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141404

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 17A(TA)、56A(Tc) 1450 pF @ 25 V 3.3W(Ta)、35W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFH8334TRPBF
INFINEON

2,623 21+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078890

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 14A(TA)、44A(Tc) 1180 pF @ 10 V 3.2W(Ta)、30W(Tc) 9ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)

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