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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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B-2
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IRFP4768PBF

IRFP4768PBF
INFINEON

RoHS
9,600 22+   MOQ : 200
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76517689

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250V 10V 93A(Tc) 10880 pF @ 50 V 520W(Tc) 17.5ミリオーム @ 56A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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B-2
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IRFP4768PBF
INFINEON TECHNOLOGIES

10,000 N/A   MOQ : 150
SPQ : 75

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681744

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250V 10V 93A(Tc) 10880 pF @ 50 V 520W(Tc) 17.5ミリオーム @ 56A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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B-2
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RoHS
350 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76543000

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250V 10V 93A(Tc) 10880 pF @ 50 V 520W(Tc) 17.5ミリオーム @ 56A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-901
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IRFP4868PBF

IRFP4868PBF
INFINEON

3  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141462

Infineon Technologies Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 300V 10V 70A(Tc) 10774 pF @ 50 V 517W(Tc) 32ミリオーム@ 42A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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IRFP4868PBF

IRFP4868PBF
INFINEON

692  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st70448937

Infineon Technologies Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 300V 10V 70A(Tc) 10774 pF @ 50 V 517W(Tc) 32ミリオーム@ 42A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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B-2
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IRFP4868PBF
INFINEON TECHNOLOGIES

1,500 N/A   MOQ : 150
SPQ : 75

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681745

Infineon Technologies Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 300V 10V 70A(Tc) 10774 pF @ 50 V 517W(Tc) 32ミリオーム@ 42A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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IRFP7430PBF

IRFP7430PBF
INFINEON

4,200 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361801

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 195A(Tc) 14240 pF @ 25 V 366W(Tc) 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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IRFP7430PBF

IRFP7430PBF
INFINEON

RoHS
2,368 12+   MOQ : 2,368
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76488674

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 195A(Tc) 14240 pF @ 25 V 366W(Tc) 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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IRFP7430PBF

IRFP7430PBF
INFINEON

2,878 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404613

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 195A(Tc) 14240 pF @ 25 V 366W(Tc) 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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IRFP7530PBF

IRFP7530PBF
INFINEON

30  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141463

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 195A(Tc) 13703 pF @ 25 V 341W(Tc) 2ミリオーム @ 100A、10V 3.7V @ 250µA 411 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247
Quality Guaranteed
B-1
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IRFP7530PBF

IRFP7530PBF
INFINEON

1,000 17+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361802

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 195A(Tc) 13703 pF @ 25 V 341W(Tc) 2ミリオーム @ 100A、10V 3.7V @ 250µA 411 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247
Quality Guaranteed
B-1
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IRFP7530PBF

IRFP7530PBF
INFINEON

1,100 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75024921

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 195A(Tc) 13703 pF @ 25 V 341W(Tc) 2ミリオーム @ 100A、10V 3.7V @ 250µA 411 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247
Quality Guaranteed
B-1
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IRFP7537PBF

IRFP7537PBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141464

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 172A(Tc) 7020 pF @ 25 V 230W(Tc) 3.3ミリオーム @ 100A、10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247
Quality Guaranteed
B-2
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IRFP7537PBF

IRFP7537PBF
INFINEON

RoHS
20,000 21+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76474166

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 172A(Tc) 7020 pF @ 25 V 230W(Tc) 3.3ミリオーム @ 100A、10V 3.7V @ 150µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247
Quality Guaranteed
B-1
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IRFP90N20DPBF

IRFP90N20DPBF
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141465

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 94A(Tc) 6040 pF @ 25 V 580W(Tc) 23ミリオーム @ 56A、10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
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B-1
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IRFP9140NPBF

IRFP9140NPBF
INFINEON

73  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141466

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 23A(Tc) 1300 pF @ 25 V 140W(Tc) 117ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
Quality Guaranteed
B-2
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IRFP9140NPBF

IRFP9140NPBF
INFINEON

RoHS
16,000 22+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76464991

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 23A(Tc) 1300 pF @ 25 V 140W(Tc) 117ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFP9140NPBF

IRFP9140NPBF
INFINEON

12,001 24+  

Approx. 16 days

End of Life CoreStaff Part Number:st49404616

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 23A(Tc) 1300 pF @ 25 V 140W(Tc) 117ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AC
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR024NTRLPBF
INFINEON

9  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141470

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
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IRFR024NTRLPBF
INFINEON

44 2228  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904046

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR024NTRPBF
INFINEON

22,422  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141471

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR024NTRPBF
INFINEON

18,000 2206+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76085056

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFR024NTRPBF
INFINEON

77,148 25+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404620

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR024NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

20,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681746

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 17A(Tc) 370 pF @ 25 V 45W(Tc) 75ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR1010ZTRPBF
INFINEON

300  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141472

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 100µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR1010ZTRPBF
INFINEON

6,735 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078901

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 100µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR1010ZTRPBF
INFINEON

RoHS
7,526 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76504002

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 100µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF
INFINEON

235  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141474

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 44A(Tc) 1300 pF @ 25 V 107W(Tc) 27ミリオーム @ 26A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF
INFINEON

RoHS
21,044 22+   MOQ : 2,500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76388236

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 44A(Tc) 1300 pF @ 25 V 107W(Tc) 27ミリオーム @ 26A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF
INFINEON

30 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75022235

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 44A(Tc) 1300 pF @ 25 V 107W(Tc) 27ミリオーム @ 26A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR1205TRPBF,
INFINEON

30 25+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75024161

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 44A(Tc) 1300 pF @ 25 V 107W(Tc) 27ミリオーム @ 26A、10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR120NTRLPBF

IRFR120NTRLPBF
INFINEON

200  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141475

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 9.4A(Tc) 330 pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR120NTRPBF
INFINEON

4,095  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141476

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 9.4A(Tc) 330 pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR120NTRPBF
INFINEON

RoHS
25,000 22+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76372689

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 9.4A(Tc) 330 pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFR120NTRPBF
INFINEON

42,545 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404625

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 9.4A(Tc) 330 pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFR120NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

227,507 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681747

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 9.4A(Tc) 330 pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR12N25DPBF
INFINEON

305 NA  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904056

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250V 10V 14A(Tc) 810 pF @ 25 V 144W(Tc) 260ミリオーム @ 8.4A、10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141477

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 14A(Tc) 620 pF @ 25 V 86W(Tc) 180ミリオーム @ 8.3A、10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

1,773  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st70448938

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 13A(Tc) 830 pF @ 25 V 110W(Tc) 235ミリオーム @ 8A、10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

1,773  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st70448939

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 13A(Tc) 830 pF @ 25 V 110W(Tc) 235ミリオーム @ 8A、10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141478

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 17A(Tc) 910 pF @ 25 V 3W(Ta)、140W(Tc) 165ミリオーム @ 10A、10V 5.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
2,000 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76436305

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 17A(Tc) 910 pF @ 25 V 3W(Ta)、140W(Tc) 165ミリオーム @ 10A、10V 5.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

70 22+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75019121

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 17A(Tc) 910 pF @ 25 V 3W(Ta)、140W(Tc) 165ミリオーム @ 10A、10V 5.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR210
INTERNATIONAL RECTIFIER

75 92  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65380934

INTERNATIONAL RECTIFIER Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 2.6A(Tc) 140 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、25W(Tc) 1.5オーム @ 1.6A、10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DPAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR220NTRLPBF
INFINEON

50  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141480

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFR220NTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

5,699 N/A   MOQ : 780
SPQ : 30

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681748

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR220NTRPBF
INFINEON

553  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141481

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFR220NTRPBF
INFINEON

RoHS
2,000 22/23+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76375952

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
Supplier Stock

IRFR220NTRPBF
INFINEON

40,000 24+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st60358845

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFR220NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

116,900 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681749

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10V 5A(Tc) 300 pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)

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