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ประเภทสต็อก อันดับซัพพลายเออร์	ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	จำนวน	เดทโค้ด / Date Code	ขั้นต่ำ / หลายรายการ	ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	技術	構成	FET機能	使用温度範囲	用途	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9389TRPBF INFINEON	4,000	22/23+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76370533	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.8A、4.6A	398pF @ 15V	2W	27ミリオーム @ 6.8A、10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9389TRPBF INFINEON	30			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141304	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.8A、4.6A	398pF @ 15V	2W	27ミリオーム @ 6.8A、10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF9389TRPBF INFINEON	53,075	23+		Approx. 16 days	End of Life CoreStaff Part Number：st49404464	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.8A、4.6A	398pF @ 15V	2W	27ミリオーム @ 6.8A、10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9392TRPBF INFINEON	13			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141305	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	10V、20V	9.8A(TA)	1270 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	12.1ミリオーム @ 7.8A、20V	2.4V @ 25µA	14 nC @ 4.5 V	±25V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9393TRPBF INFINEON	15			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141306	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	10V、20V	9.2A(TA)	1110 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	13.3ミリオーム @ 9.2A、20V	2.4V @ 25µA	38 nC @ 10 V	±25V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9395MTRPBF INFINEON	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141307	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	14A	3241pF @ 15V	2.1W	7ミリオーム @ 14A、10V	2.4V @ 50µA	64nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MC
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9510PBF VISHAY	2,000	N/A	MOQ : 600 SPQ : 300	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681693	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	4A(Tc)	200 pF @ 25 V	43W（Tc）	1.2オーム @ 2.4A、10V	4V @ 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9520PBF VISHAY	3,000	17+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75024671	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	6.8A(Tc)	390 pF @ 25 V	60W（Tc）	600ミリオーム @ 4.1A、10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9520PBF VISHAY	203	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903891	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	6.8A(Tc)	390 pF @ 25 V	60W（Tc）	600ミリオーム @ 4.1A、10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530NPBF INFINEON	700			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141308	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530NPBF INFINEON	1,000	21+		Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st70572729	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9530NPBF INFINEON	4,000	22/23+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76386653	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530NPBF INFINEON	150	2018		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903898	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF9530NPBF INFINEON	36,595	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404467	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF9530NSTRLPBF INFINEON	5,972	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404468	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,600	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681694	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、79W（Tc）	200ミリオーム @ 8.4A、10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530PBF VISHAY	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141309	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	12A(Tc)	860 pF @ 25 V	88W（Tc）	300ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9530PBF VISHAY	4,170	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76373537	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	12A(Tc)	860 pF @ 25 V	88W（Tc）	300ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530PBF VISHAY	1,594	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76083664	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	12A(Tc)	860 pF @ 25 V	88W（Tc）	300ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9530PBF VISHAY	350	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903900	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	12A(Tc)	860 pF @ 25 V	88W（Tc）	300ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NLPBF INFINEON	750	20+	MOQ : 250 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76512942	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	10,000	N/A	MOQ : 900 SPQ : 450	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681695	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W（Tc）	117ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NPBF INFINEON	33,619	26+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078880	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W（Tc）	117ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NPBF INFINEON	423	22/23+	MOQ : 423 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76349772	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W（Tc）	117ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NPBF INFINEON	2,665			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141310	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W（Tc）	117ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NPBF INFINEON	450	2608		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903902	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W（Tc）	117ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	5,000	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76412936	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	299			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141311	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	100	22+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75027777	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	13	1727+		Approx. 4 days	CoreStaff Part Number：st74840151	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	99,200	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681696	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9540NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681697	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W（Ta）、110W（Tc）	117ミリオーム @ 14A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9640PBF VISHAY	3,000	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75026773	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	11A(Tc)	1200 pF @ 25 V	125W（Tc）	500ミリオーム @ 6.6A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9640PBF VISHAY	50	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76831706	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	11A(Tc)	1200 pF @ 25 V	125W（Tc）	500ミリオーム @ 6.6A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9640PBF VISHAY	14,888	20+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76385233	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	11A(Tc)	1200 pF @ 25 V	125W（Tc）	500ミリオーム @ 6.6A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9640PBF VISHAY	13	NA		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903909	VISHAY		Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	11A(Tc)	1200 pF @ 25 V	125W（Tc）	500ミリオーム @ 6.6A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9910TRPBF INFINEON	190	15+	MOQ : 190 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76386631	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	10A、12A	900pF @ 10V	2W	9.3ミリオーム @ 12A、10V	2.55V @ 250μA	11nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9952TRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141313	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.5A、2.3A	190pF @ 15V	2W	100ミリオーム @ 2.2A、10V	1V @ 250μA	14nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z24NPBF INFINEON	788			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141314	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W（Tc）	175ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9Z24NPBF INFINEON	2,000	22/23+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76371796	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W（Tc）	175ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	30,000	N/A	MOQ : 1,100 SPQ : 550	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681699	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W（Tc）	175ミリオーム @ 7.2A、10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z34NPBF INFINEON	3,211	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078881	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z34NPBF INFINEON	4			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141315	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z34NPBF INFINEON	6,200	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361774	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9Z34NPBF INFINEON	69,941	21+	MOQ : 3,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76364454	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z34NPBF INFINEON	200	0734		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68903917	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON	49			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141316	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON	10,402	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76488670	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、68W（Tc）	100ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFB23N15DPBF INFINEON	26			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141318	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	23A(Tc)	1200 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、136W（Tc）	90ミリオーム @ 14A、10V	5.5V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFB260NPBF INFINEON	20			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141319	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	56A(Tc)	4220 pF @ 25 V	380W（Tc）	40ミリオーム @ 34A、10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール