メモリ 

メーカー名 シリーズ メモリタイプ メモリフォーマット 技術 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 用途 実装タイプ デバイスパッケージ 車載対応

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コアスタッフ型名:st47726866

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - シングルポート、非同期 256Kビット 32K x 8 70 ns パラレル 4.5V~5.5V 0°C~70°C(TA) 面実装 28-SOP
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - シングルポート、非同期 256Kビット 32K x 8 70 ns パラレル 4.5V~5.5V 0°C~70°C(TA) 面実装 28-SOP
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コアスタッフ型名:st50388874

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 18Mビット 512 kx36 120~250 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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116 1037+  

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 18Mビット 1 Mx18 120~300 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st50388876

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 18Mビット 1 Mx18 120~250 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st73350850

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 36Mビット 2 Mx18 120~300 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st50388878

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - 同期、QDR II 36Mビット 1M x 36 250 MHz パラレル 1.7V~1.9V 0°C~70°C(TA) 面実装 165-FBGA(15x17)
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コアスタッフ型名:st63535342

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 72Mビット 4 Mx18 120~250 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st74842573

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - 同期、QDR II+ 72Mビット 4M x 18 450 MHz パラレル 1.7V~1.9V 0°C~70°C(TA) 面実装 165-PBGA(13x15)
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コアスタッフ型名:st40691132

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 36Mビット 2 Mx18 120~300 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st40691135

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RENESAS 揮発性 SRAM SRAM - DDR 36Mビット 1 Mx36 120~300 MHz Parallel 面実装 BGA 165pin
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コアスタッフ型名:st63535550

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XC1701LPD8C
XILINX

1 2006  

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コアスタッフ型名:st30353473

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Xilinx OTP 1Mb 3V~3.6V 0°C~70°C スルーホール 8-PDIP
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XC1701LPD8C
XILINX

1,091  

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コアスタッフ型名:st73382852

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Xilinx OTP 1Mb 3V~3.6V 0°C~70°C スルーホール 8-PDIP

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