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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S29XS128RABBHI000-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性
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FLASH
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FLASH - NOR
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128Mビット
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16M x 8
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80 ns
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108 MHz
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CFI
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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44-FBGA(7.5x5)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBH20-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBH23-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
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108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
|
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他社在庫
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBHH0-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
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108 MHz
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パラレル
|
1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
|
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBHH3-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
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108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
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面実装
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133-FBGA(8x8)
|
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他社在庫
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJ20-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
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108 MHz
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パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
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面実装
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133-FBGA(8x8)
|
|
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他社在庫
|
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJ23-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
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面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
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他社在庫
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJH0-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
|
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|
他社在庫
|
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJH3-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
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