メモリ 

メーカー名 シリーズ メモリタイプ メモリフォーマット 技術 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 用途 実装タイプ デバイスパッケージ 車載対応

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Infineon Technologies F-RAM? 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies Excelon?-LP,F-RAM? 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 256K x 8 8 ns 50 MHz SPI 1.71V~1.89V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies Excelon?-Ultra, F-RAM? 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Mビット 512K x 8 108 MHz SPI - クワッドI/O 1.71V~1.89V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 64K x 16 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 64K x 16 55 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 48-VFBGA(6x8)
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-SOIC
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-SOIC
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-sTSOP
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-TSOP I
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-TSOP I
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-SOIC
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-SOIC
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-sTSOP
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コアスタッフ型名:st72262233

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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 1Mビット 128K x 8 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 32-TSOP I
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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 2Mビット 128K x 16 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 48-VFBGA(6x8)
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コアスタッフ型名:st72262236

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Infineon Technologies MoBLR 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 2Mビット 128K x 16 45 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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