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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IGO60R042D1AUMA2
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGO60R042D1AUMA2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IGO60R070D1AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGO60R070D1AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IGO60R070D1AUMA2
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGO60R070D1AUMA2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGO60R070D1E8220AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGO60R070D1E8220AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT60R042D1AUMA2
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGOT60R042D1AUMA2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT60R070D1AUMA1
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT60R070D1AUMA3
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT60R070D1E8220AUMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IGOT60R070D1E8220AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT60R070D1E8237AUMA1
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT65R025B3AUMA1
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGOT65R025D2AUMA1
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 61A(Tc) 780 pF @ 400 V 184W(Tc) 1.6V @ 6.1mA 11 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-DSO-20-91 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGOT65R035B3AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGOT65R035B3AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IGOT65R035D2AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGOT65R035D2AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 44A(Tc) 540 pF @ 400 V 134W(Tc) 1.6V @ 4.2mA 7.7 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-DSO-20-91 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGOT65R045D2AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGOT65R045D2AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 34A(Tc) 430 pF @ 400 V 109W(Tc) 1.6V @ 3.3mA 6 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-DSO-20-91 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGOT65R055D2AUMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGOT65R055D2AUMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 28A(Tc) 340 pF @ 400 V 89W(Tc) 1.6V @ 2.6mA 4.7 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-DSO-20-91 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGT40R070D1ATMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IGT40R070D1ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT40R070D1E8220ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT40R070D1E8220ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT60R042D1ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT60R042D1ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT60R070D1ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT60R070D1ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT60R070D1ATMA4
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コアスタッフ型名:zp2216-IGT60R070D1ATMA4-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT60R070D1E8220ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT60R070D1E8220ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IGT60R190D1ATMA1
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT60R190D1SATMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IGT60R190D1SATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IGT65R025D2ATMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IGT65R025D2ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 70A(Tc) 780 pF @ 400 V 236W(Tc) 1.6V @ 6.1mA 11 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGT65R035D2ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT65R035D2ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 49A(Tc) 540 pF @ 400 V 167W(Tc) 1.6V @ 4.2mA 7.7 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGT65R045D2ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT65R045D2ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 38A(Tc) 430 pF @ 400 V 131W(Tc) 1.6V @ 3.3mA 6 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGT65R055D2ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT65R055D2ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 31A(Tc) 340 pF @ 400 V 106W(Tc) 1.6V @ 2.6mA 4.7 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-3 GaNFET(窒化ガリウム)
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IGT65R140D2ATMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGT65R140D2ATMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolGaN™ G5 Nチャンネル 650 V 13A(Tc) 155 pF @ 400 V 47W(Tc) 1.6V @ 1mA 1.8 nC @ 3 V -10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-3 GaNFET(窒化ガリウム)
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IMBF170R1K0M1XTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBF170R1K0M1XTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBF170R450M1XTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBF170R450M1XTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBF170R650M1XTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBF170R650M1XTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IMBG120R008M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R008M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 189A(Tc) 6380 pF @ 800 V 800W(Tc) 7.7ミリオーム @ 89.9A、18V 5.1V @ 28.3mA 195 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R012M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R012M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 144A(Tc) 4050 pF @ 800 V 600W(Tc) 12.2ミリオーム @ 56.7A、18V 5.1V @ 17.8mA 124 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R017M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R017M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 107A(Tc) 2910 pF @ 800 V 470W(Tc) 17.1ミリオーム @ 40.4A、18V 5.1V @ 12.7mA 89 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R022M2HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R022M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 87A(Tc) 2330 pF @ 800 V 385W(Tc) 21.6ミリオーム @ 32.1A、18V 5.1V @ 10.1mA 71 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R026M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R026M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 75A(Tc) 1990 pF @ 800 V 335W(Tc) 25.4ミリオーム @ 27.3A、18V 5.1V @ 8.6mA 60 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R030M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R030M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R034M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R034M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 58A(Tc) 1510 pF @ 800 V 278W(Tc) 5.1V @ 6.4mA 45 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R040M2HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R040M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 52A(Tc) 1310 pF @ 800 V 250W(Tc) 39.6ミリオーム @ 17.5A、18V 5.1V @ 5.5mA 39 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R045M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R045M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R053M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R053M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 41A(Tc) 1010 pF @ 800 V 205W(Tc) 52.6ミリオーム @ 13.2A、18V 5.1V @ 4.1mA 30 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R060M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R060M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R078M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R078M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 29A(Tc) 700 pF @ 800 V 158W(Tc) 78.1ミリオーム @ 8.9A、18V 5.1V @ 2.8mA 20.6 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R090M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R090M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R116M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R116M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 21.2A(Tc) 500 pF @ 800 V 123W(Tc) 115.7ミリオーム @ 6A、18V 5.1V @ 1.9mA 14.4 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R140M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R140M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R181M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R181M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 14.9A(Tc) 350 pF @ 800 V 94W(Tc) 181.4ミリオーム @ 3.9A、18V 5.1V @ 1.2mA 9.7 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R220M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R220M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R234M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R234M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 8.1A(Tc) 290 pF @ 800 V 80W(Tc) 233.9ミリオーム @ 3A、18V 5.1V @ 900µA 7.9 nC @ 18 V +20V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET(炭化ケイ素)
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IMBG120R350M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R350M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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