|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC019S06S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
60 V
|
5V
|
27A(Ta)、99A(Tc)
|
1700 pF @ 30 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
1.9ミリオーム @ 35A、5V
|
2.9V @ 12mA
|
17 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-6-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC025S08S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
80 V
|
5V
|
23A(Ta)、86A(Tc)
|
1400 pF @ 40 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
2.5ミリオーム @ 25A、5V
|
2.9V @ 10mA
|
16 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-6-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC033S101XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
100 V
|
5V
|
21A(Ta)、76A(Tc)
|
1400 pF @ 50 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
3.3ミリオーム @ 20A、5V
|
2.9V @ 8mA
|
14 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-VSON-6-3
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC033S10S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
100 V
|
5V
|
21A(Ta)、76A(Tc)
|
1400 pF @ 50 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
3.3ミリオーム @ 20A、5V
|
2.9V @ 8mA
|
14 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-6-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC037S12S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
120 V
|
5V
|
19A(Ta)、71A(Tc)
|
1000 pF @ 60 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
3.7ミリオーム @ 18A、5V
|
2.9V @ 7mA
|
13 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-6-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC090S18S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGC090S20S1XTMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
200 V
|
5V
|
12A(Ta)、46A(Tc)
|
800 pF @ 100 V
|
3.3W(Ta)、45W(Tc)
|
9ミリオーム @ 10A、5V
|
|
8.5 nC @ 5 V
|
±6.5V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-6-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGD70R140D2SAUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
10A(Tc)
|
|
29W(Tc)
|
|
1.6V @ 1mA
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGD70R200D2SAUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
7.3A(Tc)
|
91 pF @ 400 V
|
21W(Tc)
|
|
1.6V @ 710µA
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGD70R270D2SAUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
5.8A(Tc)
|
74 pF @ 400 V
|
18W(Tc)
|
|
1.6V @ 560µA
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGD70R500D2SAUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
3.4A(Tc)
|
|
11W(Tc)
|
|
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK048B041SXTSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
53A(Tc)
|
600 pF @ 20 V
|
1.7W(Ta)、 25W(Tc)
|
|
2.9V @ 3mA
|
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK048B041SXUSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
53A(Tc)
|
600 pF @ 20 V
|
1.7W(Ta)、 25W(Tc)
|
|
2.9V @ 3mA
|
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK080B041SXTSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
35A(Tc)
|
370 pF @ 20 V
|
1.6W(Ta)、21W(Tc)
|
|
2.9V @ 3mA
|
5.3 nC @ 5 V
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK080B041SXUSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
35A(Tc)
|
387 pF @ 20 V
|
1.6W(Ta)、21W(Tc)
|
8ミリオーム @ 10A、5V
|
2.9V @ 3mA
|
5.3 nC @ 5 V
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK120B041SXTSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
30A(Tc)
|
|
|
|
2.9V @ 3mA
|
4.4 nC @ 5 V
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGK120B041SXUSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™
|
Nチャンネル
|
40 V
|
5V
|
30A(Tc)
|
|
|
|
2.9V @ 3mA
|
4.4 nC @ 5 V
|
|
-40°C~125°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SG-UFWLB-16-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGKA23S101SXTSA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGL65R055D2XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
22A(Tc)
|
340 pF @ 400 V
|
111W(Tc)
|
|
1.6V @ 2.6mA
|
4.7 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装、濡れ性フランク
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGL65R080D2XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
18A(Tc)
|
240 pF @ 400 V
|
81W(Tc)
|
|
1.6V @ 1.8mA
|
3.3 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装、濡れ性フランク
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGL65R110D2XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
16A(Tc)
|
170 pF @ 400 V
|
59W(Tc)
|
|
1.6V @ 1.3mA
|
2.4 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装、濡れ性フランク
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGL65R140D2XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
13A(Tc)
|
|
47W(Tc)
|
|
1.6V @ 1mA
|
1.8 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装、濡れ性フランク
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD60R070D1AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD60R070D1AUMA3-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD60R190D1AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD60R190D1AUMA3-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD60R190D1SAUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD65R055D2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
20A(Tc)
|
340 pF @ 400 V
|
91W(Tc)
|
|
1.6V @ 2.6mA
|
4.7 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-LSON-8-1
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD65R080D2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
18A(Tc)
|
240 pF @ 400 V
|
68W(Tc)
|
|
1.6V @ 1.8mA
|
3.3 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-LSON-8-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD65R110D2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
14A(Tc)
|
170 pF @ 400 V
|
51W(Tc)
|
|
1.6V @ 1.3mA
|
2.4 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-LSON-8-2
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLD65R140D2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
12A(Tc)
|
155 pF @ 400 V
|
42W(Tc)
|
|
1.6V @ 1mA
|
1.8 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-LSON-8-1
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR60R190D1E8238XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR60R190D1XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR60R260D1E8238XUMA1-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR60R260D1XUMA1-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR60R340D1XUMA1-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR65R140D2XUMA1-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
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13A(Tc)
|
155 pF @ 400 V
|
47W(Tc)
|
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1.6V @ 1mA
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1.8 nC @ 3 V
|
-10V
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-55°C~150°C(TJ)
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面実装
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PG-TSON-8-8
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GaNFET(窒化ガリウム)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR65R200D2XUMA1-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
9.2A(Tc)
|
91 pF @ 400 V
|
34W(Tc)
|
|
1.6V @ 710µA
|
1.26 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-8-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR65R270D2XUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
7.2A(Tc)
|
74 pF @ 400 V
|
28W(Tc)
|
|
1.6V @ 560µA
|
1 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-8-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
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|
他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR70R140D2SXUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
13A(Tc)
|
|
47W(Tc)
|
|
1.6V @ 1mA
|
1.8 nC @ 3 V
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-8-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
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|
他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR70R200D2SXUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
9.3A(Tc)
|
91 pF @ 400 V
|
34W(Tc)
|
|
1.6V @ 710µA
|
1.26 nC @ 3 V
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-8-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
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|
他社在庫
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLR70R270D2SXUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
700 V
|
|
7.3A(Tc)
|
74 pF @ 400 V
|
28W(Tc)
|
|
1.6V @ 560µA
|
1 nC @ 3 V
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-TSON-8-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R025D2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
67A(Tc)
|
780 pF @ 400 V
|
219W(Tc)
|
|
1.6V @ 6.1mA
|
11 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-HDSOP-16-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
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|
他社在庫
|
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|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R035B3AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
|
|
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R035D2ATMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
47A(Tc)
|
540 pF @ 400 V
|
154W(Tc)
|
|
1.6V @ 4.2mA
|
7.7 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-HDSOP-16-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
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|
他社在庫
|
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R045D2ATMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
38A(Tc)
|
430 pF @ 400 V
|
124W(Tc)
|
|
1.6V @ 3.3mA
|
6 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-HDSOP-16-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R055B2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
21.8A(Tc)
|
|
135W(Tc)
|
|
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R055D2ATMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
31A(Tc)
|
340 pF @ 400 V
|
102W(Tc)
|
|
1.6V @ 2.6mA
|
4.7 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-HDSOP-16-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R110B2AUMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
14A(Tc)
|
|
55W(Tc)
|
|
|
|
-10V
|
-40°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
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|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IGLT65R110D2ATMA1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
CoolGaN™ G5
|
Nチャンネル
|
650 V
|
|
15A(Tc)
|
170 pF @ 400 V
|
55W(Tc)
|
|
1.6V @ 1.3mA
|
2.4 nC @ 3 V
|
-10V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
PG-HDSOP-16-8
|
GaNFET(窒化ガリウム)
|
|