Search Results：78283～  /   Part Number：  /   Stock Type：ALL  /   Quantity：0PCS~

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อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IMBG40R011M2HXTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IMBG40R011M2HXTMA1-ND@0

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 400 V 15V、18V 13.4A（Ta）、133A（Tc） 3770 pF @ 200 V 3.8W（Ta）、429W（Tc） 14.4ミリオーム @ 37.1A、18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-11 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG40R015M2HXTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IMBG40R015M2HXTMA1-ND@0

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 400 V 15V、18V 11.7A（Ta）、111A（Tc） 2730 pF @ 200 V 3.8W（Ta）、341W（Tc） 19.1ミリオーム @ 27.1A、18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-11 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG40R025M2HXTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IMBG40R025M2HXTMA1-ND@0

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 400 V 15V、18V 9A（Ta）、68A（Tc） 1690 pF @ 200 V 3.8W（Ta）、214W（Tc） 32.1ミリオーム @ 15.7A、18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-11 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG40R036M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 400 V 15V、18V 7.6A（Ta）、50A（Tc） 1170 pF @ 200 V 3.8W（Ta）、167W（Tc） 45.7ミリオーム @ 11.1A、18V 5.6V @ 4mA 26 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-11 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG40R045M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 400 V 15V、18V 6.8A（Ta）、43A（Tc） 910 pF @ 200 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 56.2ミリオーム @ 8.9A、18V 5.6V @ 3.2mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-11 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R007M2HXTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IMBG65R007M2HXTMA1-ND@0

Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル 650 V 15V、20V 238A（Tc） 6359 pF @ 400 V 789W（Tc） 8.5ミリオーム @ 146.3A、18V 5.6V @ 2.97mA 179 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R009M1HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 18V 170A（Tc） 6054 pF @ 400 V 555W（Tc） 13.6ミリオーム @ 97.2A、18V 5.7V @ 32.4mA 176 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R010M2H
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 158A（Tc） 4001 pF @ 400 V 535W（Tc） 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R010M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 158A（Tc） 4001 pF @ 400 V 535W（Tc） 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル 650 V 15V、20V 115A（Tc） 2792 pF @ 400 V 416W（Tc） 18ミリオーム @ 64.2A、18V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル 650 V 15V、20V 91A（Tc） 2038 pF @ 400 V 326W（Tc） 24ミリオーム @ 46.9A、18V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 68A（Tc） 1499 pF @ 400 V 263W（Tc） 24ミリオーム @ 34.5A、20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R026M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 68A（Tc） 1499 pF @ 400 V 263W（Tc） 24ミリオーム @ 34.5A、20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R030M1HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 58A（Tc） 1214 pF @ 400 V 227W（Tc） 30ミリオーム @ 27.9A、20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル 650 V 15V、20V 49A（Tc） 997 pF @ 400 V 197W（Tc） 49ミリオーム @ 22.9A、18V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル 650 V 15V、20V 41A（Tc） 790 pF @ 400 V 172W（Tc） 62ミリオーム @ 18.2A、18V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 34.9A（Tc） 669 pF @ 400 V 148W（Tc） 55ミリオーム @ 15.4A、20V 5.6V @ 3.1mA 18 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 650 V 15V、20V 34.9A（Tc） 669 pF @ 400 V 148W（Tc） 55ミリオーム @ 15.4A、20V 5.6V @ 3.1mA 18 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG65R072M1HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 15V、20V 28A（Tc） 516 pF @ 400 V 124W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 840 V 15V、20V 651W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG75R011M2HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 750 V 15V、20V 129A（Tc） 416W（Tc） 106 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies Nチャンネル 750 V 15V、20V 93A（Tc） 2577 pF @ 500 V 318W（Tc） 5.6V @ 12.3mA 74 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG75R020M2HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 750 V 15V、20V 79A（Tc） 282W（Tc） 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG75R025M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 750 V 15V、20V 64A（Tc） 1729 pF @ 500 V 234W（Tc） 5.6V @ 8.1mA 49 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 840 V 15V、20V 50A（Tc） 189W（Tc） 37 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBG75R040M2HXTMA1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 750 V 15V、20V 42A（Tc） 156W（Tc） 30 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 840 V 15V、20V 34A（Tc） 135W（Tc） 24 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル 750 V 15V、20V 29A（Tc） 716 pF @ 500 V 116W（Tc） 5.6V @ 3mA 20 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMBT120R012M2HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 1500W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22 SiCFET（炭化ケイ素）
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Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMCQ120R007M2HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMCQ120R010M2HXTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IMCQ120R010M2HXTMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 195A（Tc） 880W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22 SiCFET（炭化ケイ素）
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IMCQ120R017M2HXTMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 1200 V 15V、18V 118A（Tc） 580W（Tc） 5.1V @ 12.7mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22 SiCFET（炭化ケイ素）

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