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核友型号		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 PG-HSOF-5-2
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 70A（Ta）、570A（Tj） 12900 pF @ 20 V 238W（Tc） 0.39ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 150µA 190 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-5 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 50A（Ta）、455A（Tj） 9820 pF @ 20 V 198W（Tc） 0.51ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 110µA 143 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-1 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 50A（Ta）、410A（Tj） 8360 pF @ 20 V 179W（Tc） 0.57ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 95µA 123 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-1 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 50A（Ta）、330A（Tj） 6460 pF @ 20 V 149W（Tc） 0.72ミリオーム @ 100A、10V 3V @ 73µA 94 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-2 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 40A（Ta）、290A（Tj） 5410 pF @ 20 V 133W（Tc） 0.82ミリオーム @ 90A、10V 3V @ 60µA 78 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-2 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 250A（Tj） 115W（Tc） 3V @ 50µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HSOF-5-2 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 180A（Tj） 101W（Tc） 3V @ 40µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-HSOF-5-2 MOSFET（金属酸化物）
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル 40 V 7V、10V 90W（Tc） 3V @ 35µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-HSOF-5-2 MOSFET（金属酸化物）
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