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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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DMN31D5L-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

50 pF @ 15 V
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DMN31D5L-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

50 pF @ 15 V
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DMN31D5L-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

50 pF @ 15 V
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DMN31D5UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 400mA(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

400mA(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMN31D5UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 400mA(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

400mA(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMN31D5UDAQ-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 400mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

30V 400mA(Ta) 22.6pF @ 15V 370mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMN31D5UDJ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 220mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

30V 220mA(Ta) 22.6pF @ 15V 350mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN31D5UDJ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 220mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

30V 220mA(Ta) 22.6pF @ 15V 350mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN31D5UDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 430mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 430mA(Ta) 15.4pF @ 15V 330mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 0.9V @ 250µA 0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMN31D5UDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 430mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 430mA(Ta) 15.4pF @ 15V 330mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 0.9V @ 250µA 0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMN31D5UFA-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 400mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-3

15.4 pF @ 15 V
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DMN31D5UFO-7B

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Nチャンネル 30 V 410mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN0604-3

22.6 pF @ 15 V
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DMN31D5UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 220mA(Ta) 393mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

22.2 pF @ 15 V
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DMN31D5UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 220mA(Ta) 393mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

22.2 pF @ 15 V
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DMN31D5UFZQ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 410mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

AEC-Q101
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DMN31D6UT-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 350mA(Ta) 320mW 面実装 SOT-523

13.6 pF @ 15 V
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DMN31D6UT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 350mA(Ta) 320mW 面実装 SOT-523

13.6 pF @ 15 V
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DMN31D6UT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 350mA(Ta) 320mW 面実装 SOT-523

13.6 pF @ 15 V
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DMN3200U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 2.2A(Ta) 650mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

290 pF @ 10 V
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DMN3200U-7

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Nチャンネル 30 V 2.2A(Ta) 650mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

290 pF @ 10 V
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DMN3270UVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 1.6A(Ta) 760mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 1.6A(Ta) 161pF @ 15V 760mW(Ta) 270ミリオーム @ 650mA、4.5V 900mV @ 40µA 3.07nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMN3270UVT-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 1.6A(Ta) 760mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 1.6A(Ta) 161pF @ 15V 760mW(Ta) 270ミリオーム @ 650mA、4.5V 900mV @ 40µA 3.07nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMN32D0LFB4-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 440mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

44.8 pF @ 15 V
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DMN32D0LFB4-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 440mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

44.8 pF @ 15 V
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DMN32D0LV-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D0LV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D0LV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D0LVQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D0LVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D0LVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 680mA(Ta) 480mW(Ta) 面実装 SOT-563

30V 680mA(Ta) 44.8pF @ 15V 480mW(Ta) 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMN32D2LDF-7

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MOSFET - アレイ 30V 400mA 280mW 面実装 SOT-353

30V 400mA 39pF @ 3V 280mW 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-353
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DMN32D2LDF-7

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MOSFET - アレイ 30V 400mA 280mW 面実装 SOT-353

30V 400mA 39pF @ 3V 280mW 1.2オーム @ 100mA、4V 1.2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-353
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DMN32D2LFB4-7

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

39 pF @ 3 V
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DMN32D2LFB4-7

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

39 pF @ 3 V
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DMN32D4SDW-13

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MOSFET - アレイ 30V 650mA 290mW 面実装 SOT-363

30V 650mA 50pF @ 15V 290mW 400ミリオーム @ 250mA、10V 1.6V @ 250µA 1.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMN32D4SDW-7

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MOSFET - アレイ 30V 650mA 290mW 面実装 SOT-363

30V 650mA 50pF @ 15V 290mW 400ミリオーム @ 250mA、10V 1.6V @ 250µA 1.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMN32D4SDW-7

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MOSFET - アレイ 30V 650mA 290mW 面実装 SOT-363

30V 650mA 50pF @ 15V 290mW 400ミリオーム @ 250mA、10V 1.6V @ 250µA 1.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MOSFET - アレイ 30V 30A(Ta) 1.1W 面実装

30V 30A(Ta) 2780pF @ 15V 1.1W 2.6ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 1mA 42.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X4-DSN6025-8

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