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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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DMG1012UW-7

DMG1012UW-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 1A(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1012UW-7DICT-ND@0

Diodes Incorporated - Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 1A(Ta) 60.67 pF @ 16 V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1012UWQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 950mA(Ta) 460mW 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1012UWQ-7TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 950mA(Ta) 43 pF @ 16 V 460mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1012UWQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 950mA(Ta) 460mW 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1012UWQ-7CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 950mA(Ta) 43 pF @ 16 V 460mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013T-7

DMG1013T-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 460mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013T-7DITR-ND@0

Diodes Incorporated - Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 460mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 270mW(Ta) 700ミリオーム @ 350mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013T-7

DMG1013T-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 460mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013T-7DICT-ND@0

Diodes Incorporated - Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 460mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 270mW(Ta) 700ミリオーム @ 350mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013TQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 460mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1013TQ-7CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 460mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 270mW(Ta) 700ミリオーム @ 350mA、4.5V 1V @ 250µA 0.58 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013TQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 460mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1013TQ-7TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 460mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 270mW(Ta) 700ミリオーム @ 350mA、4.5V 1V @ 250µA 0.58 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UW-7

DMG1013UW-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013UW-7DITR-ND@0

Diodes Incorporated - Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UW-7

DMG1013UW-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013UW-7DICT-ND@0

Diodes Incorporated - Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UWQ-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1013UWQ-13TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UWQ-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1013UWQ-13CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UWQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013UWQ-7DICT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1013UWQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1013UWQ-7DITR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 820mA(Ta) 59.76 pF @ 16 V 310mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62 nC @ 4.5 V ±6V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.07A、845mA 330mW 面実装 SOT-363
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016UDW-7DICT-ND@0

Diodes Incorporated - 20V 1.07A、845mA 60.67pF @ 10V 330mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.07A、845mA 330mW 面実装 SOT-363
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016UDW-7DITR-ND@0

Diodes Incorporated - 20V 1.07A、845mA 60.67pF @ 10V 330mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG1016UDWQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.066A(Ta)、845mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1016UDWQ-7TR-ND@0

20V 1.066A(Ta)、845mA(Ta) 60.67pF @ 10V、59.76pF @ 16V 330mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 736.6nC @ 4.5V、0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG1016V-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016V-7DITR-ND@0

20V 870mA、640mA 60.67pF @ 16V 530mW 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1016V-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016V-7DICT-ND@0

20V 870mA、640mA 60.67pF @ 16V 530mW 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1016VQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016VQ-13DI-ND@0

20V 870mA、640mA 60.67pF @ 16V 530mW 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1016VQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016VQ-7DITR-ND@0

20V 870mA、640mA 60.67pF @ 16V 530mW 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1016VQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1016VQ-7DICT-ND@0

20V 870mA、640mA 60.67pF @ 16V 530mW 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1023UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1023UV-7DITR-ND@0

20V 1.03A 59.76pF @ 16V 530mW 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1023UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1023UV-7DICT-ND@0

20V 1.03A 59.76pF @ 16V 530mW 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1023UVQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A(Ta) 530mW(Ta) 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1023UVQ-13DI-ND@0

20V 1.03A(Ta) 59pF @ 16V 530mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1023UVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A(Ta) 530mW(Ta) 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1023UVQ-7CT-ND@0

20V 1.03A(Ta) 59pF @ 16V 530mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1023UVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A(Ta) 530mW(Ta) 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1023UVQ-7TR-ND@0

20V 1.03A(Ta) 59pF @ 16V 530mW(Ta) 750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.622nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1024UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.38A 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1024UV-7DITR-ND@0

20V 1.38A 60.67pF @ 16V 530mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1024UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.38A 530mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1024UV-7DICT-ND@0

20V 1.38A 60.67pF @ 16V 530mW 450ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1026UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 410mA 580mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1026UV-7DICT-ND@0

60V 410mA 32pF @ 25V 580mW 1.8オーム @ 500mA、10V 1.8V @ 250µA 0.45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1026UV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 410mA 580mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1026UV-7DITR-ND@0

60V 410mA 32pF @ 25V 580mW 1.8オーム @ 500mA、10V 1.8V @ 250µA 0.45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1026UVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 440mA(Ta) 650mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1026UVQ-7TR-ND@0

60V 440mA(Ta) 32pF @ 25V 650mW 1.8オーム @ 500mA、10V 1.8V @ 250µA 0.45pC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1026UVQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 440mA(Ta) 650mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMG1026UVQ-7CT-ND@0

60V 440mA(Ta) 32pF @ 25V 650mW 1.8オーム @ 500mA、10V 1.8V @ 250µA 0.45pC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 500mA、360mA 450mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1029SV-7DICT-ND@0

Diodes Incorporated - 60V 500mA、360mA 30pF @ 25V、25pF @ 25V 450mW 1.7オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 500mA、360mA 450mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMG1029SV-7DITR-ND@0

Diodes Incorporated - 60V 500mA、360mA 30pF @ 25V、25pF @ 25V 450mW 1.7オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563

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