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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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DMG3414UQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 4.2A(Ta) 780mW 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-31-DMG3414UQ-7CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4.2A(Ta) 829.9 pF @ 10 V 780mW 25ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 9.6 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415U-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3415UDITR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4A(Ta) 294 pF @ 10 V 900mW(Ta) 39ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415U-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3415UDICT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4A(Ta) 294 pF @ 10 V 900mW(Ta) 39ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415UFY4Q-7

RoHS
   

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Pチャンネル 16 V 2.5A(Ta) 650mW(Ta) 面実装 X2-DFN2015-3
核友型号:zp2216-DMG3415UFY4Q-7DICT-ND@0

Pチャンネル 16 V 1.8V、4.5V 2.5A(Ta) 282 pF @ 10 V 650mW(Ta) 39ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN2015-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415UFY4Q-7

RoHS
   

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Pチャンネル 16 V 2.5A(Ta) 650mW(Ta) 面実装 X2-DFN2015-3
核友型号:zp2216-DMG3415UFY4Q-7DITR-ND@0

Pチャンネル 16 V 1.8V、4.5V 2.5A(Ta) 282 pF @ 10 V 650mW(Ta) 39ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN2015-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415UQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-31-DMG3415UQ-7TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4A(Ta) 294 pF @ 10 V 900mW(Ta) 42.5ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3415UQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-31-DMG3415UQ-7CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4A(Ta) 294 pF @ 10 V 900mW(Ta) 42.5ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 9.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3418L-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 4A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3418L-13-ND@0

Nチャンネル 30 V 2.5V、10V 4A(Ta) 464.3 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 60ミリオーム @ 4A、10V 1.5V @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3418L-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 4A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3418L-7DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 2.5V、10V 4A(Ta) 464.3 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 60ミリオーム @ 4A、10V 1.5V @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3418L-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 4A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3418L-7DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 2.5V、10V 4A(Ta) 464.3 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 60ミリオーム @ 4A、10V 1.5V @ 250µA 5.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3420U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5.47A(Ta) 740mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3420U-7DITR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、10V 5.47A(Ta) 434.7 pF @ 10 V 740mW(Ta) 29ミリオーム @ 6A、10V 1.2V @ 250µA 5.4 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3420U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5.47A(Ta) 740mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-DMG3420U-7DICT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、10V 5.47A(Ta) 434.7 pF @ 10 V 740mW(Ta) 29ミリオーム @ 6A、10V 1.2V @ 250µA 5.4 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG3420UQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5.47A(Ta) 740mW 面実装 SOT-23-3
核友型号:zp2216-31-DMG3420UQ-7TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、10V 5.47A(Ta) 434.7 pF @ 10 V 740mW 29ミリオーム @ 6A、10V 1.2V @ 250µA 5.4 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C 面実装 SOT-23-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4407SSS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.9A(Ta) 1.45W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4407SSS-13DICT-ND@0

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9.9A(Ta) 2246 pF @ 15 V 1.45W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、20V 3V @ 250µA 20.5 nC @ 10 V ±25V -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4407SSS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.9A(Ta) 1.45W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4407SSS-13DITR-ND@0

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9.9A(Ta) 2246 pF @ 15 V 1.45W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、20V 3V @ 250µA 20.5 nC @ 10 V ±25V -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4413LSS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4413LSS-13DICT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.5A(Ta) 4965 pF @ 15 V 1.7W(Ta) 7.5ミリオーム @ 13A、10V 2.1V @ 250µA 46 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4413LSS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4413LSS-13DITR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.5A(Ta) 4965 pF @ 15 V 1.7W(Ta) 7.5ミリオーム @ 13A、10V 2.1V @ 250µA 46 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4435SSS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4435SSS-13DICT-ND@0

Pチャンネル 30 V 5V、20V 7.3A(Ta) 1614 pF @ 15 V 2.5W(Ta) 16ミリオーム @ 11A、20V 2.5V @ 250µA 35.4 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4466SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4466SSS-13DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 478.9 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 23ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4466SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4466SSS-13DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 478.9 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 23ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4466SSSL-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-31-DMG4466SSSL-13TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 478.9 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 23ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4466SSSL-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-31-DMG4466SSSL-13CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 478.9 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 23ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4468LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.62A(Ta) 990mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8
核友型号:zp2216-DMG4468LFG-7DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.62A(Ta) 867 pF @ 10 V 990mW(Ta) 15ミリオーム @ 11.6A、10V 2V @ 250µA 18.85 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4468LK3-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 9.7A(Ta) 1.68W(Ta) 面実装 TO-252-3
核友型号:zp2216-DMG4468LK3-13DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9.7A(Ta) 867 pF @ 15 V 1.68W(Ta) 16ミリオーム @ 11.6A、10V 1.95V @ 250µA 18.85 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4468LK3-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 9.7A(Ta) 1.68W(Ta) 面実装 TO-252-3
核友型号:zp2216-DMG4468LK3-13DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9.7A(Ta) 867 pF @ 15 V 1.68W(Ta) 16ミリオーム @ 11.6A、10V 1.95V @ 250µA 18.85 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-3 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4496SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4496SSS-13DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 493.5 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 21.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 10.2 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4496SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4496SSS-13DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 493.5 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 21.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 10.2 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4496SSSQ-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SOP
核友型号:zp2216-31-DMG4496SSSQ-13TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta) 493.5 pF @ 15 V 1.42W(Ta) 21.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA 10.2 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOP MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4511SK4-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 35V 5.3A、5A 1.54W 面実装 TO-252-4L
核友型号:zp2216-DMG4511SK4-13DICT-ND@0

35V 5.3A、5A 850pF @ 25V 1.54W 35ミリオーム @ 8A、10V 3V @ 250µA 18.7nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル、コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L
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DMG4511SK4-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 35V 5.3A、5A 1.54W 面実装 TO-252-4L
核友型号:zp2216-DMG4511SK4-13DITR-ND@0

35V 5.3A、5A 850pF @ 25V 1.54W 35ミリオーム @ 8A、10V 3V @ 250µA 18.7nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル、コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L
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DMG4710SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 8.8A(Ta) 1.54W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-DMG4710SSS-13DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.8A(Ta) 1849 pF @ 15 V 1.54W(Ta) 12.5ミリオーム @ 11.7A、10V 2.3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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DMG4712SSS-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 11.2A(Ta) 1.55W(Ta) 面実装 8-SO
核友型号:zp2216-1034-DMG4712SSS-13DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 11.2A(Ta) 2296 pF @ 15 V 1.55W(Ta) 14ミリオーム @ 11.2A、10V 2.2V @ 250µA 45.7 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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DMG4800LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.44A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8
核友型号:zp2216-DMG4800LFG-7DITR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.44A(Ta) 798 pF @ 10 V 940mW(Ta) 17ミリオーム @ 9A、10V 1.5V @ 250µA 9.47 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8 MOSFET(金属酸化物) -
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DMG4800LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.44A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8
核友型号:zp2216-DMG4800LFG-7DICT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.44A(Ta) 798 pF @ 10 V 940mW(Ta) 17ミリオーム @ 9A、10V 1.5V @ 250µA 9.47 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8 MOSFET(金属酸化物) -

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