FETs

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CoreStaff Part Number
メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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AO4842

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 2W 面実装 8-SOIC

30V - 448pF @ 15V 2W 22ミリオーム @ 7.5A、10V 2.6V @ 250µA 11nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4854

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8A 2W 面実装 8-SOIC

30V 8A 888pF @ 15V 2W 19ミリオーム @ 8A、10V 2.4V @ 250µA 18nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4862

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.5A 1.7W 面実装 8-SOIC

30V 4.5A 200pF @ 15V 1.7W 50ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 10nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4862E

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.5A(Ta) 1.7W 面実装 8-SOIC

30V 4.5A(Ta) 215pF @ 15V 1.7W 46ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4882

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 40V 8A 2W 面実装 8-SOIC

40V 8A 415pF @ 20V 2W 19ミリオーム @ 8A、10V 2.4V @ 250µA 12nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4882

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 40V 8A 2W 面実装 8-SOIC

40V 8A 415pF @ 20V 2W 19ミリオーム @ 8A、10V 2.4V @ 250µA 12nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4884

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 40V 10A 2W 面実装 8-SOIC

40V 10A 1950pF @ 20V 2W 13ミリオーム @ 10A、10V 2.7V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4886

   

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MOSFET - アレイ 100V 3.3A 2W 面実装 8-SOIC

100V 3.3A 942pF @ 50V 2W 80ミリオーム @ 3A、10V 2.7V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO4892

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 4A 2W 面実装 8-SOIC

100V 4A 415pF @ 50V 2W 68ミリオーム @ 4A、10V 2.8V @ 250µA 12nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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AO5404E

   

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Nチャンネル 20 V 500mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SC-89-3

45 pF @ 10 V
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AO6400

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 6.9A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

1030 pF @ 15 V
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AO6400

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 6.9A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

1030 pF @ 15 V
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AO6401A

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 5A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

1180 pF @ 15 V
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AO6402A

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.5A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

820 pF @ 15 V
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AO6402A

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.5A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

820 pF @ 15 V
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AO6403

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 6A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

920 pF @ 15 V
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AO6403

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 6A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

920 pF @ 15 V
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AO6404

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 8.6A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

1810 pF @ 10 V
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AO6404

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 8.6A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

1810 pF @ 10 V
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AO6405

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 5A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

840 pF @ 15 V
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AO6405

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 5A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

840 pF @ 15 V
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AO6409

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 5.5A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 6-TSOP

1450 pF @ 10 V
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AO6409

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 5.5A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 6-TSOP

1450 pF @ 10 V
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AO6409A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 5.5A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 6-TSOP

905 pF @ 10 V
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AO6409A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 5.5A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 6-TSOP

905 pF @ 10 V
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AO6415

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP

620 pF @ 10 V
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AO6415

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP

620 pF @ 10 V
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AO6420

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 4.2A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

540 pF @ 30 V
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AO6420

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 4.2A(Ta) 2W(Ta) 面実装 6-TSOP

540 pF @ 30 V
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AO6424

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP

310 pF @ 15 V
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AO6601

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A、2.3A 1.15W 面実装 6-TSOP

30V 3.4A、2.3A 285pF @ 15V 1.15W 60ミリオーム @ 3.4A、10V 1.5V @ 250µA 12nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.5A(Ta)、2.7A(Ta) 1.15W(Ta) 面実装 6-TSOP

30V 3.5A(Ta)、2.7A(Ta) 210pF @ 15V、240pF @ 15V 1.15W(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V、100ミリオーム @ 2.7A、10V 2.5V @ 250µA、2.4V @ 250µA 5nC @ 10V、5.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.5A(Ta)、2.7A(Ta) 1.15W(Ta) 面実装 6-TSOP

30V 3.5A(Ta)、2.7A(Ta) 210pF @ 15V 1.15W(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 4.05nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AO6602L

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 1.15W 面実装 6-TSOP

30V - 240pF @ 15V 1.15W 75ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 8.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AO6604

AO6604
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.4A、2.5A 1.1W 面実装 6-TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 20V 3.4A、2.5A 320pF @ 10V 1.1W 65ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 3.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、4.5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AO6604

AO6604
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.4A、2.5A 1.1W 面実装 6-TSOP

Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 20V 3.4A、2.5A 320pF @ 10V 1.1W 65ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 3.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、4.5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AO6608

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V、20V 3.4A(Ta)、3.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP

30V、20V 3.4A(Ta)、3.3A(Ta) 235pF @ 15V、510pF @ 10V 1.25W(Ta) 60ミリオーム @ 3.4A、10V、75ミリオーム @ 3.3A、4.5V 1.5V @ 250µA、1V @ 250µA 3nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP

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