FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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AIMZH120R020M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 100A(Tc) 429W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZH120R030M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
Partner Stock

AIMZH120R040M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 55A(Tc) 268W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
Partner Stock

AIMZH120R060M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 38A(Tc) 197W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZH120R080M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZH120R120M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 22A(Tc) 133W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
Partner Stock

AIMZH120R160M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R010M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 202A(Tc) 750W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R020M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 100A(Tc) 429W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R030M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R040M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 55A(Tc) 268W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R060M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 38A(Tc) 197W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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AIMZHN120R080M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
Partner Stock

AIMZHN120R120M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 22A(Tc) 133W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
Partner Stock

AIMZHN120R160M1TXKSA1

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) スルーホール

AEC-Q101
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ALD1101APAL

ALD1101APAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 10pF @ 5V 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1101ASAL

ALD1101ASAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1101BPAL

ALD1101BPAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1101BSAL

ALD1101BSAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 40mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V 40mA - 500mW - - - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1101PAL

ALD1101PAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1101SAL

ALD1101SAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1102APAL

ALD1102APAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 270オーム @ 5V 1.2V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1102ASAL

ALD1102ASAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW 270オーム @ 5V 1.2V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1102BPAL

ALD1102BPAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 10pF @ 5V 500mW 270オーム @ 5V 1.2V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1102BSAL

ALD1102BSAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - - 500mW - - - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1102PAL

ALD1102PAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 10pF @ 5V 500mW 270オーム @ 5V 1.2V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD1102SAL

ALD1102SAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 10pF @ 5V 500mW 270オーム @ 5V 1.2V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネルル(デュアル)整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD1103PBL

ALD1103PBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 40mA、16mA 500mW スルーホール 14-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V 40mA、16mA 10pF @ 5V 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 14-PDIP
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ALD1103SBL

ALD1103SBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 40mA、16mA 500mW 面実装 14-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V 40mA、16mA 10pF @ 5V 500mW 75オーム @ 5V 1V @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 14-SOIC
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ALD1105PBL

ALD1105PBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 14-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5V 1V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 14-PDIP
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ALD1105SBL

ALD1105SBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 14-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5V 1V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 14-SOIC
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ALD1106PBL

ALD1106PBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 14-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5V 1V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 14-PDIP
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ALD1106SBL

ALD1106SBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 14-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5V 1V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 14-SOIC
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ALD1107PBL

ALD1107PBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 14-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 1800オーム @ 5V 1.2V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 14-PDIP
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ALD1107SBL

ALD1107SBL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 14-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. - 10.6V - 3pF @ 5V 500mW 1800オーム @ 5V 1.2V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 14-SOIC
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ALD110800APCL

ALD110800APCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4V 10mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110800ASCL

ALD110800ASCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4V 10mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110800PCL

ALD110800PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4V 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110800SCL

ALD110800SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4V 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110802PCL

ALD110802PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.2V 220mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110802SCL

ALD110802SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V - 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.2V 220mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110804PCL

ALD110804PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.4V 420mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110804SCL

ALD110804SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.4V 420mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110808APCL

ALD110808APCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.8V 810mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110808ASCL

ALD110808ASCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.8V 810mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110808PCL

ALD110808PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.8V 820mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110808SCL

ALD110808SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 4.8V 820mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD110814PCL

ALD110814PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5.4V 1.42V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD110814SCL

ALD110814SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10.6V 12mA、3mA 2.5pF @ 5V 500mW 500オーム @ 5.4V 1.42V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD1108ESCL

ALD1108ESCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10V 600mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 10V - 25pF @ 5V 600mW 500オーム @ 5V 1.01V @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC

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