Shop for เซมิคอนดักเตอร์-ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์-FETs | CoreStaff ONLINE

เว็บไซต์จำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์นำเข้าจากญี่ปุ่น

Language: ภาษาไทย - TH ▼

メーカー名

Clear

Applied Filters：

Search Results：76299～ / Part Number： / Stock Type：ALL / Quantity：0PCS~

Page　405 of 1526

ดาวน์โหลดผลการค้นหา (Excel File)

ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	技術	構成	FET機能	使用温度範囲	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
Partner Stock	ALD110900APAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4V	10mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110900ASAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4V	10mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110900PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4V	20mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110900SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4V	20mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110902PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110902SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.2V	220mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110904PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.4V	420mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110904SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.4V	420mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110908APAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.8V	810mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110908ASAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.8V	810mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110908PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.8V	820mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110908SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 4.8V	820mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD110914PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5.4V	1.42V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD110914SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5.4V	1.42V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD1110EPAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10V 600mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10V	-	2.5pF @ 5V	600mW	500オーム @ 5V	1.01V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD1110ESAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10V 600mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10V	-	2.5pF @ 5V	600mW	500オーム @ 5V	1.01V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD1115MAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-MSOP	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	1800オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-MSOP
Partner Stock	ALD1115PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	1800オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD1115SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	1800オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD1116PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD1116SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5V	1V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD1117PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	1800オーム @ 5V	1.2V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネルル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD1117SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	-	10.6V	-	3pF @ 5V	500mW	1800オーム @ 5V	1.2V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネルル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD111933MAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-MSOP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-MSOP
Partner Stock	ALD111933PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD111933SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	-	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 5.9V	3.35V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	-	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD114804APCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	380mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD114804ASCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	380mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD114804PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	360mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD114804SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	360mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD114813PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 2.7V	1.26V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD114813SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 2.7V	1.26V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD114835PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	540オーム @ 0V	3.45V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD114835SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	540オーム @ 0V	3.45V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD114904APAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	380mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD114904ASAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	380mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD114904PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	360mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD114904SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 3.6V	360mV @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD114913PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 2.7V	1.26V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD114913SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	500オーム @ 2.7V	1.26V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD114935PAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW スルーホール 8-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	540オーム @ 0V	3.45V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	8-PDIP
Partner Stock	ALD114935SAL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 12mA、3mA 500mW 面実装 8-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®	10.6V	12mA、3mA	2.5pF @ 5V	500mW	540オーム @ 0V	3.45V @ 1µA	-	MOSFET（金属酸化物）	2Nチャンネル（デュアル）整合ペア	デプリーションモード	0°C～70°C（TJ）	面実装	8-SOIC
Partner Stock	ALD210800APCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	15pF @ 5V	500mW	25オーム	10mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD210800ASCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	15pF @ 5V	500mW	25オーム	10mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD210800PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	15pF @ 5V	500mW	25オーム	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD210800SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	15pF @ 5V	500mW	25オーム	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD210802PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	-	500mW	-	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD210802SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	-	500mW	-	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC
Partner Stock	ALD210804PCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	-	500mW	-	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	スルーホール	16-PDIP
Partner Stock	ALD210804SCL ADVANCED LINEAR DEVICES INC.	MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC	Advanced Linear Devices Inc.	EPAD®, Zero Threshold™	10.6V	80mA	-	500mW	-	20mV @ 10µA	-	MOSFET（金属酸化物）	4Nチャンネル、整合ペア	論理レベルゲート	0°C～70°C（TJ）	面実装	16-SOIC