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他社在庫
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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
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MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
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0°C~70°C(TJ)
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スルーホール
|
16-PDIP
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他社在庫
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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
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MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
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0°C~70°C(TJ)
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面実装
|
16-SOIC
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他社在庫
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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
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|
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他社在庫
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|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
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面実装
|
16-SOIC
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他社在庫
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|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
-
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
|
-
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Nチャンネル、整合ペア
|
論理レベルゲート
|
-
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
30pF @ 5V
|
500mW
|
14オーム
|
10mV @ 20µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
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|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
30pF @ 5V
|
500mW
|
14オーム
|
10mV @ 20µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
30pF @ 5V
|
500mW
|
14オーム
|
20mV @ 20µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
30pF @ 5V
|
500mW
|
14オーム
|
20mV @ 20µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
0°C~70°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
-
|
|
|
スルーホール
|
8-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
10.6V
|
80mA
|
-
|
500mW
|
-
|
20mV @ 10µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Nチャンネル(デュアル)整合ペア
|
論理レベルゲート
|
-
|
|
|
面実装
|
8-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
20mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
20mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
20mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
20mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
180mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
180mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
180mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
180mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
380mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
380mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
380mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
380mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
面実装
|
16-SOIC
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
780mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
|
スルーホール
|
16-PDIP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
780mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
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面実装
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16-SOIC
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他社在庫
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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
780mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
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スルーホール
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16-PDIP
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|
|
他社在庫
|
|
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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC
梱包形態:スティック
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Advanced Linear Devices Inc.
|
EPAD®, Zero Threshold™
|
8V
|
-
|
2.5pF @ 5V
|
500mW
|
-
|
780mV @ 1µA
|
-
|
MOSFET(金属酸化物)
|
4Pチャンネル、整合ペア
|
-
|
0°C~70°C
|
|
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面実装
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16-SOIC
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他社在庫
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|
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MOSFET - アレイ 30V 3.7A(Ta)、2.7A(Ta) 1.15W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
3.7A(Ta)、2.7A(Ta)
|
641pF @ 15V、630pF @ 15V
|
1.15W(Ta)
|
58ミリオーム @ 2A、4.5V、112ミリオーム @ 2A、4.5V
|
500mV @ 250µA
|
8.7nC @ 4.5V、9.3nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSOP
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|
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|
|
他社在庫
|
|
|
|
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MOSFET - アレイ 20V 5.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
20V
|
5.3A(Ta)
|
727pF @ 15V
|
1.25W(Ta)
|
30ミリオーム @ 5.3A、4.5V
|
400mV @ 250µA
|
12nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
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MOSFET - アレイ 3.5A(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
|
3.5A(Ta)
|
|
|
63ミリオーム @ 2A、4.5V
|
400mV @ 250µA
|
|
MOSFET(金属酸化物)
|
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
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MOSFET - アレイ 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
9.4A(Ta)、7.9A(Ta)
|
1456pF @ 15V、1934pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
23ミリオーム @ 8.5A、10V
|
1V @ 250µA
|
15nC @ 10V、28nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
9.4A(Ta)、7.9A(Ta)
|
1309pF @ 15V、1663pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
16ミリオーム @ 4.7A、10V、23ミリオーム @ 3.9A、10V
|
1V @ 250µA
|
11nC @ 4.5V、23nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 6.7A(Ta)、5.2A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
6.7A(Ta)、5.2A(Ta)
|
519pF @ 15V、604pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
31ミリオーム @ 4.7A、10V、52ミリオーム @ 4.2A、10V
|
1V @ 250µA
|
6nC @ 4.5V、7nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 7.1A(Ta)、6A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
7.1A(Ta)、6A(Ta)
|
519pF @ 15V、597pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
28ミリオーム @ 5.7A、10V、39ミリオーム @ 4.8A、10V
|
1V @ 250µA
|
5.8nC @ 4.5V、19nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 40V 5.8A(Ta)、3.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
40V
|
5.8A(Ta)、3.9A(Ta)
|
287pF @ 15V、384pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
42ミリオーム @ 5.3A、10V、90ミリオーム @ 3.6A、10V
|
1V @ 250µA
|
3.6nC @ 10V、5.8nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 7.7A(Ta)、4.3A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
60V
|
7.7A(Ta)、4.3A(Ta)
|
1465pF @ 15V、1817pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
33ミリオーム @ 5.4A、10V、57ミリオーム @ 5.2A、10V
|
1V @ 250µA
|
5nC @ 4.5V、20nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 1.4A(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
|
1.4A(Ta)
|
|
|
700ミリオーム @ 1.2A、10V
|
1V @ 250µA
|
|
MOSFET(金属酸化物)
|
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 6.4A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
60V
|
6.4A(Ta)
|
1460pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
35ミリオーム @ 5.2A、10V
|
1V @ 250µA
|
16nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 10A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
10A(Ta)
|
-
|
2.1W(Ta)
|
13.5ミリオーム @ 10A、10V
|
1V @ 250µA
|
20nC @ 5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 6.7A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
30V
|
6.7A(Ta)
|
641pF @ 15V
|
2.1W(Ta)
|
32ミリオーム @ 5.3A、4.5V
|
0.5V @ 250µA(最小)
|
9nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
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MOSFET - アレイ 40V 6.9A(Ta)、6.6A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-DFN(5x6)
梱包形態:バラ品
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Analog Power Inc.
|
-
|
40V
|
6.9A(Ta)、6.6A(Ta)
|
1506pF @ 15V、1264pF @ 15V
|
2.5W(Ta)
|
39ミリオーム @ 6.6A、10V
|
1V @ 250µA
|
10nC @ 4.5V、15nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-DFN(5x6)
|
|