メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術

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核友管理編號
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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Nチャンネル 60 V 115mA 300mW 面実装 SOT-23

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Nチャンネル 60 V 350mA(Ta) 710mW (Ta)、3.1W(Tc) 面実装 SOT-883

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MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW (Ta)、5W(Tc) 面実装 DFN1412-6

Nexperia USA Inc. - 60V 320mA(Ta) 9.2pF @ 30V 420mW (Ta)、5W(Tc) 2.9オーム @ 100mA、10V 2.6V @ 250µA 315pC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1412-6
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Nチャンネル 60 V 180mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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Nチャンネル 60 V 115mA 225W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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Nチャンネル 60 V 340mA 300mW 面実装 SOT-23

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Nチャンネル 60 V 350mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 TO-236AB

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Nチャンネル 60 V 350mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 TO-236AB

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MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW 面実装 6-TSSOP

Nexperia USA Inc. TrenchMOS™ 60V 300mA(Ta) 50pF @ 10V 295mW 1.6オーム @ 500mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP
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MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW 面実装 6-TSSOP

Nexperia USA Inc. TrenchMOS™ 60V 300mA(Ta) 50pF @ 10V 295mW 1.6オーム @ 500mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP
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MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW(Ta)、1.04W(Tc) 面実装 6-TSSOP

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MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW(Ta)、1.04W(Tc) 面実装 6-TSSOP

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MOSFET - アレイ 60V 340mA 350mW 面実装 SOT-666

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MOSFET - アレイ 60V 340mA 350mW 面実装 SOT-666

Nexperia USA Inc. TrenchMOS™ 60V 340mA 50pF @ 10V 350mW 1.6オーム @ 500mA、10V 2.1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 150°C(TJ) 面実装 SOT-666
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