メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術

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核友管理編號
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)

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Nチャンネル 60 V 350mA(Ta) 830mW(Tj) 面実装 SOT-23

MCC (Micro Commercial Components)
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SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.

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MOSFET - アレイ 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SOT-363

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. - 60V 115mA(Ta) 50pF @ 25V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル - 150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DW

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SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.

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MOSFET - アレイ 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SOT-363

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. - 60V 115mA(Ta) 50pF @ 25V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル - 150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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ONSEMI

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MOSFET - アレイ 60V 115mA 200mW 面実装 SC-88(SC-70-6)

onsemi - 60V 115mA 50pF @ 25V 200mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-88(SC-70-6)
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ONSEMI

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MOSFET - アレイ 60V 115mA 200mW 面実装 SC-88(SC-70-6)

onsemi - 60V 115mA 50pF @ 25V 200mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-88(SC-70-6)
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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DIODES INCORPORATED

   

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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MOSFET - アレイ 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SC-88/SC70-6/SOT-363

onsemi - 60V 115mA(Ta) 50pF @ 25V 200mW(Ta) 2オーム @ 500mA、10V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-88/SC70-6/SOT-363
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MOSFET - アレイ 60V 115mA 200mW 面実装 SOT-363

MCC (Micro Commercial Components) - 60V 115mA 50pF @ 25V 200mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)

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MOSFET - アレイ 60V 115mA 200mW 面実装 SOT-363

MCC (Micro Commercial Components) - 60V 115mA 50pF @ 25V 200mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)

   

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MOSFET - アレイ 60V 340mA 300mW 面実装 SOT-363

MCC (Micro Commercial Components) - 60V 340mA 50pF @ 25V 300mW 2.5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル - -55°C~150°C 面実装 SOT-363
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INFINEON TECHNOLOGIES

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MOSFET - アレイ 60V 300mA 500mW 面実装 PG-SOT363-PO

Infineon Technologies OptiMOS™ 60V 300mA 20pF @ 25V 500mW 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT363-PO
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2N7002DWH6327XTSA1

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INFINEON TECHNOLOGIES

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MOSFET - アレイ 60V 300mA 500mW 面実装 PG-SOT363-PO

Infineon Technologies OptiMOS™ 60V 300mA 20pF @ 25V 500mW 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT363-PO
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2N7002DWK-13

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DIODES INCORPORATED

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MOSFET - アレイ 60V 261mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 261mA(Ta) 41pF @ 30V 330mW(Ta) 3オーム @ 200mA、10V 2V @ 250µA 1.04nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWK-7

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MOSFET - アレイ 60V 261mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 261mA(Ta) 41pF @ 30V 330mW(Ta) 3オーム @ 200mA、10V 2V @ 250µA 1.04nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWK-7

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MOSFET - アレイ 60V 261mA(Ta) 330mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 261mA(Ta) 41pF @ 30V 330mW(Ta) 3オーム @ 200mA、10V 2V @ 250µA 1.04nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWQ-13-F

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MOSFET - アレイ 60V 230mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA(Ta) 50pF @ 25V 310mW(Ta) 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWQ-13-F

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MOSFET - アレイ 60V 230mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA(Ta) 50pF @ 25V 310mW(Ta) 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWQ-7-F

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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DIODES INCORPORATED

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MOSFET - アレイ 60V 230mA 310mW 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 230mA 50pF @ 25V 310mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWS-7

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MOSFET - アレイ 60V 247mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 247mA(Ta) 41pF @ 25V 290mW(Ta) 4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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2N7002DWS-7

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MOSFET - アレイ 60V 247mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

Diodes Incorporated - 60V 247mA(Ta) 41pF @ 25V 290mW(Ta) 4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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Nチャンネル 60 V 340mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 340mA(Ta) 18 pF @ 30 V 350mW(Ta) 5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) - 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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2N7002E

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 340mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 340mA(Ta) 18 pF @ 30 V 350mW(Ta) 5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) - 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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2N7002E-7-F

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DIODES INCORPORATED

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Nチャンネル 60 V 250mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

Diodes Incorporated
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2N7002E-7-F

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DIODES INCORPORATED

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Nチャンネル 60 V 250mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

Diodes Incorporated
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2N7002E-Q1-H

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FORMOSA MICROSEMI CO., LTD.

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Formosa Microsemi Co., Ltd.
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2N7002E-T1-GE3

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VISHAY SILICONIX

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Nチャンネル 60 V 240mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236

Vishay Siliconix
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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 240mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236

Vishay Siliconix
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2N7002EQ-13-F

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DIODES INCORPORATED

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Nチャンネル 60 V 292mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

Diodes Incorporated
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2N7002EQ-7-F

2N7002EQ-7-F
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 292mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

Diodes Incorporated
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2N7002ET1G

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 260mA(Ta) 300mW(Tj) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

onsemi
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2N7002ET1G

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Nチャンネル 60 V 260mA(Ta) 300mW(Tj) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

onsemi

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