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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs(最大) 商品概要 技術 FET機能 動作温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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18N20F

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 18A(Tc) 110W(Tc) スルーホール TO-220F

Nチャンネル 200 V 10V 18A(Tc) 836 pF @ 25 V 110W(Tc) 190ミリオーム @ 9A、10V 3V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220F
Partner Stock

18N20F

18N20F
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 18A(Tc) 110W(Tc) スルーホール TO-220F

Goford Semiconductor
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18N20J

18N20J
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 18A(Tc) 65.8W(Tc) スルーホール TO-251

Goford Semiconductor
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18N20J

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 18A(Tc) 65.8W(Tc) スルーホール TO-251

Nチャンネル 200 V 10V 18A(Tc) 836 pF @ 25 V 65.8W(Tc) 160ミリオーム @ 9A、10V 3V @ 250µA ±30V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-251
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1N60G

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 1A(Tj) 面実装 SOT-223

UMW
Partner Stock

1N60G

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 1A(Tj) 面実装 SOT-223

UMW
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1N60L

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 1A(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
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1N60L

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 1A(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
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1N65G

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 1A(Tj) 面実装 SOT-223

UMW
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1N65G

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 1A(Tj) 面実装 SOT-223

UMW
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1N65L

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 1A(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
Partner Stock

1N65L

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 1A(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
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2002A

2002A
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 190 V 5A(Tc) 1.4W(Tc) 面実装 SOT-23-6L

Goford Semiconductor
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20N06

20N06
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 41W(Tc) 面実装 TO-252

Goford Semiconductor
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2300F

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6A(Tc) 1.25W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 6A(Tc) 630 pF @ 10 V 1.25W(Tc) 27ミリオーム @ 2.3A、4.5V 900mV @ 250µA ±12V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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2300F

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6A(Tc) 1.25W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 6A(Tc) 630 pF @ 10 V 1.25W(Tc) 27ミリオーム @ 2.3A、4.5V 900mV @ 250µA ±12V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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2300F

2300F
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 6A(Tc) 1.25W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Goford Semiconductor
Partner Stock

2301

2301
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Pチャンネル 3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Goford Semiconductor
Partner Stock

2301

2301
N/A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 3A(Tc) 405 pF @ 10 V 1W(Tc) 56ミリオーム @ 1.7A、4.5V 900mV @ 250µA ±10V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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2301

2301
N/A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 3A(Tc) 405 pF @ 10 V 1W(Tc) 56ミリオーム @ 1.7A、4.5V 900mV @ 250µA ±10V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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2301H

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.8A(Tc) 890mW(Tc) 面実装 SOT-23-3

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 2.8A(Tc) 405 pF @ 10 V 890mW(Tc) 75ミリオーム @ 3A、10V 2.4V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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2301H

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.8A(Tc) 890mW(Tc) 面実装 SOT-23-3

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 2.8A(Tc) 405 pF @ 10 V 890mW(Tc) 75ミリオーム @ 3A、10V 2.4V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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2301H

2301H
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Pチャンネル 2.8A(Tc) 890mW(Tc) 面実装 SOT-23-3

Goford Semiconductor
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2302

2302
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Nチャンネル 4.3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Goford Semiconductor
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2302

2302
N/A

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 4.3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 4.3A(Tc) 300 pF @ 10 V 1W(Tc) 27ミリオーム @ 2.2A、4.5V 1.1V @ 250µA ±10V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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2302

2302
N/A

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 4.3A(Tc) 1W(Tc) 面実装 SOT-23-3

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 4.3A(Tc) 300 pF @ 10 V 1W(Tc) 27ミリオーム @ 2.2A、4.5V 1.1V @ 250µA ±10V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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25N06

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
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25N06

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW
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25P06

25P06
GOFORD SEMICONDUCTOR

RoHS
   

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Pチャンネル 25A(Tc) 100W(Tc) 面実装 TO-252

Goford Semiconductor
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25P06

   

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Pチャンネル 60 V 25A(Tc) 100W(Tc) 面実装 TO-252

Pチャンネル 60 V 10V 25A(Tc) 3384 pF @ 30 V 100W(Tc) 32ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252
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25P06

   

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Pチャンネル 60 V 25A(Tc) 100W(Tc) 面実装 TO-252

Pチャンネル 60 V 10V 25A(Tc) 3384 pF @ 30 V 100W(Tc) 32ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252
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2N60G

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 2A(Tc) 44W(Tc) 面実装 SOT-223-4

UMW
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2N60G

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 2A(Tc) 44W(Tc) 面実装 SOT-223-4

UMW
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2N60L

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 2A(Tc) 44W(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)

UMW

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