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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
質量保證
B-1
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海外位置

IRFU120NPBF

IRFU120NPBF
INFINEON

21,000 21+  

預計 16個工作天

核友型號:st49404707

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 9.4A(Tc) 330pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 16.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-2
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IRFU120NPBF
INFINEON

500 21+  

預計 8個工作天

核友型號:st71929889

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 9.4A(Tc) 330pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 16.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFU120NPBF

IRFU120NPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型號:st50102894

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 9.4A(Tc) 330pF @ 25 V 48W(Tc) 210ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 250µA 16.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU220NPBF

IRFU220NPBF
INFINEON

2,545 20+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361821

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 5A(Tc) 300pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 15 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFU220NPBF

IRFU220NPBF
INFINEON

445 20+  

預計 16個工作天

核友型號:st49404708

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 5A(Tc) 300pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 15 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-2
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IRFU220NPBF
INFINEON

3,858 20+  

預計 8個工作天

核友型號:st71931219

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 5A(Tc) 300pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 15 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU220NPBF

IRFU220NPBF
INFINEON

RoHS
5  

預計 91個工作天

核友型號:st68904120

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 5A(Tc) 300pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 15 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU220NPBF

IRFU220NPBF
INFINEON

8,480 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st62787480

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 5A(Tc) 300pF @ 25 V 43W(Tc) 600ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 250µA 15 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU3910PBF

IRFU3910PBF
INFINEON

150 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st64280108

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 16A(Tc) 640pF @ 25 V 79W(Tc) 115ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 29.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU4510PBF

IRFU4510PBF
INFINEON

610 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st62787185

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 56A(Tc) 3031pF @ 50 V 143W(Tc) 13.9ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 100µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU4615PBF

IRFU4615PBF
INFINEON

6,000 21+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361822

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 150V 10V 33A(Tc) 1750pF @ 50 V 144W(Tc) 42ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFU5305PBF

IRFU5305PBF
INFINEON

2,950 1533+  

預計 16個工作天

核友型號:st50161853

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFU5305PBF

IRFU5305PBF
INFINEON

65  

預計 11個工作天

核友型號:st67960243

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU5410PBF

IRFU5410PBF
INFINEON

34,560 17+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361823

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 100V 10V 13A(Tc) 760pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 38.7 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-2
來自供應商的訂

IRFU5410PBF
INFINEON

34,670 21+  

預計 8個工作天

核友型號:st71929711

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 100V 10V 13A(Tc) 760pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 38.7 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFU7440PBF
INFINEON

94  

預計 11個工作天

核友型號:st67960244

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 6V、10V 90A(Tc) 4610pF @ 25 V 140W(Tc) 2.4ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 89 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF
INFINEON

5,625 22+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361824

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 11A(Tc) 350pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 12.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF
INFINEON

RoHS
5  

預計 91個工作天

核友型號:st68904128

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 11A(Tc) 350pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 12.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-2
來自供應商的訂

IRFU9024NPBF
INFINEON

10,551 20+  

預計 8個工作天

核友型號:st71930592

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 11A(Tc) 350pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 12.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251AA)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFZ24NPB
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型號:st50102895

Infineon Technologies
質量保證
B-2
來自供應商的訂

IRFZ24NPBF
INFINEON

300 22+  

預計 8個工作天

核友型號:st71927634

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 17A(Tc) 370pF @ 25 V 45W(Tc) 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 13.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF
INFINEON

3,040 1922  

預計 8個工作天

核友型號:st65685847

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 17A(Tc) 370pF @ 25 V 45W(Tc) 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 13.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF
INFINEON

525  

預計 11個工作天

核友型號:st67960245

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 17A(Tc) 370pF @ 25 V 45W(Tc) 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 13.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF
INFINEON

RoHS
500  

預計 91個工作天

核友型號:st68904134

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 17A(Tc) 370pF @ 25 V 45W(Tc) 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 13.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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海外位置

IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型號:st50102896

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 17A(Tc) 370pF @ 25 V 45W(Tc) 70ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 13.3 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF
INFINEON

11,596 2030+  

預計 8個工作天

核友型號:st65682993

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 29A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 40ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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海外位置

IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF
INFINEON

1,285 21+  

預計 16個工作天

核友型號:st49404719

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 29A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 40ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF
INFINEON

2,290  

預計 11個工作天

核友型號:st67960246

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 29A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 40ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF
INFINEON

500 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st62780889

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 29A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 40ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

50,000 20+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361825

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

8,680 2113  

預計 10個工作天

核友型號:st65285852

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

4,000 23+  

預計 12個工作天

核友型號:st62782779

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-2
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IRFZ44NPBF
INFINEON

15 20+  

預計 8個工作天

核友型號:st71930702

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

4,865  

預計 11個工作天

核友型號:st67960247

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

11,000  

預計 8個工作天

核友型號:st61229510

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF
INFINEON

8,680 2113  

預計 8個工作天

核友型號:st65688925

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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IRFZ44NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

1,000   MOQ : 1,000
SPQ : 1

預計 11個工作天

核友型號:st70647335

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
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IRFZ44NSPBF

IRFZ44NSPBF
INFINEON

300 829  

預計 8個工作天

核友型號:st65676071

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 3.8W(Ta)、94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
質量保證
B-1
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海外位置

IRFZ44NSTRLPBF
INFINEON

500 22+  

預計 12個工作天

核友型號:st48988988

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 3.8W(Ta)、94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44NSTRLPBF
INFINEON

76  

預計 11個工作天

核友型號:st67960248

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 49A(Tc) 1470pF @ 25 V 3.8W(Ta)、94W(Tc) 17.5ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 42 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44VPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

1,000   MOQ : 1,000
SPQ : 1

預計 11個工作天

核友型號:st70647336

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 55A(Tc) 1812pF @ 25 V 115W(Tc) 16.5ミリオーム @ 31A、10V 4V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ44VPBF

IRFZ44VPBF
INFINEON

500 23+  

預計 12個工作天

核友型號:st70710693

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 55A(Tc) 1812pF @ 25 V 115W(Tc) 16.5ミリオーム @ 31A、10V 4V @ 250µA 44.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF
INFINEON

1,684 17+  

預計 11個工作天

核友型號:st71361826

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 53A(Tc) 1696pF @ 25 V 107W(Tc) 16.5ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 48 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF
INFINEON

148 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st64280110

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 53A(Tc) 1696pF @ 25 V 107W(Tc) 16.5ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 48 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂
海外位置

IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF
INFINEON

11,377 21+  

預計 16個工作天

核友型號:st49404725

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 53A(Tc) 1696pF @ 25 V 107W(Tc) 16.5ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 48 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂
海外位置

IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型號:st50102902

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 53A(Tc) 1696pF @ 25 V 107W(Tc) 16.5ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 48 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂
海外位置

IRFZ46NSTRLPBF

IRFZ46NSTRLPBF
INFINEON

800 22+  

預計 16個工作天

核友型號:st49404727

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 53A(Tc) 1696pF @ 25 V 3.8W(Ta)、107W(Tc) 16.5ミリオーム @ 28A、10V 4V @ 250µA 48 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
質量保證
來自供應商的訂

IRFZ46ZSTRLPBF
INFINEON

3,200 22+  

預計 16個工作天

核友型號:st60359000

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 51A(Tc) 1460pF @ 25 V 82W(Tc) 13.6ミリオーム @ 31A、10V 4V @ 250µA 31 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF
INFINEON

100 21+  

預計 12個工作天

核友型號:st64280112

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 64A(Tc) 1970pF @ 25 V 130W(Tc) 14ミリオーム @ 32A、10V 4V @ 250µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
質量保證
B-1
來自供應商的訂

IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF
INFINEON

368  

預計 11個工作天

核友型號:st67960249

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 64A(Tc) 1970pF @ 25 V 130W(Tc) 14ミリオーム @ 32A、10V 4V @ 250µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB

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