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库存类别供应商排名	库存所在位置	型号 / 制造商 / 其他	库存量	生产批次	最低订货数量 / 后续订购数量	预定出货日	资讯核友型号	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	技術	FET機能	使用温度範囲	用途	車載対応	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRFZ48NSTRLPBF INFINEON	2,400	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404729	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	55V	10V	64A(Tc)	1970pF @ 25 V	3.8W（Ta）、130W（Tc）	14ミリオーム @ 32A、10V	4V @ 250µA	54 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL1404STRLPBF INFINEON	197	21+		预计 12个工作日	核友型号：st64280119	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.3V、10V	160A(Tc)	6600pF @ 25 V	3.8W（Ta）、200W（Tc）	4ミリオーム @ 95A、10V	3V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL2203NPBF INFINEON	3,000	21+		预计 12个工作日	End of Life 核友型号：st48988922	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	116A(Tc)	3290pF @ 25 V	180W（Tc）	7ミリオーム @ 60A、10V	1V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL2203NPBF INFINEON	30			预计 11个工作日	核友型号：st67960253	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	116A(Tc)	3290pF @ 25 V	180W（Tc）	7ミリオーム @ 60A、10V	1V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL2203NPBF INFINEON	45			预计 91个工作日	核友型号：st68904167	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	116A(Tc)	3290pF @ 25 V	180W（Tc）	7ミリオーム @ 60A、10V	1V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL2203NPBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	End of Life 核友型号：st50102926	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	116A(Tc)	3290pF @ 25 V	180W（Tc）	7ミリオーム @ 60A、10V	1V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL2910STRLPBF INFINEON	105	21+		预计 12个工作日	核友型号：st70710695	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	55A(Tc)	3700pF @ 25 V	3.8W（Ta）、200W（Tc）	26ミリオーム @ 29A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL3705NSTRLPBF INFINEON	807	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787212	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	55V	4V、10V	89A(Tc)	3600pF @ 25 V	3.8W（Ta）、170W（Tc）	10ミリオーム @ 46A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL3705NSTRLPBF INFINEON	19,800	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404752	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	55V	4V、10V	89A(Tc)	3600pF @ 25 V	3.8W（Ta）、170W（Tc）	10ミリオーム @ 46A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL3705ZSTRLPBF INFINEON	9,900	20+		预计 16个工作日	核友型号：st49404753	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	55V	4.5V、10V	75A(Tc)	2880pF @ 25 V	130W（Tc）	8ミリオーム @ 52A、10V	3V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL3713PBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	End of Life 核友型号：st50102929	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	260A(Tc)	5890pF @ 15 V	330W（Tc）	3ミリオーム @ 38A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL3713STRLPBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	End of Life 核友型号：st50102931	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	260A(Tc)	5890pF @ 15 V	330W（Tc）	3ミリオーム @ 38A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL3715SPBF INFINEON	1,171	10+		预计 16个工作日	核友型号：st50161960
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL520NPBF INFINEON	734	202143		预计 11个工作日	核友型号：st69759176	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	10A(Tc)	440pF @ 25 V	48W（Tc）	180ミリオーム @ 6A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL520NSTRLPBF INFINEON	1,950	21+		预计 12个工作日	核友型号：st64280120	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	10A(Tc)	440pF @ 25 V	3.8W（Ta）、48W（Tc）	180ミリオーム @ 6A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL530NSTRRPBF INFINEON	105,049			预计 4个工作日	核友型号：st67858565	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	17A(Tc)	800pF @ 25 V	3.8W（Ta）、79W（Tc）	100ミリオーム @ 9A、10V	2V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			面実装	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL540NPBF INFINEON	10			预计 11个工作日	核友型号：st67960254	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	36A(Tc)	1800pF @ 25 V	140W（Tc）	44ミリオーム @ 18A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL540NPBF INFINEON	1,000	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62776715	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4V、10V	36A(Tc)	1800pF @ 25 V	140W（Tc）	44ミリオーム @ 18A、10V	2V @ 250µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL6297SDTRPBF INFINEON	48,000	17+		预计 11个工作日	核友型号：st71361840	Infineon Technologies	HEXFETR	20V	15A	2245pF @ 10V	1.7W	4.9リオーム @ 15A、4.5V	1.1V @ 35μA	54nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-40°C～150°C(TJ)			面実装	DIRECTFET? SA
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRL7486MTRPBF INFINEON	20,000	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361841	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	209A(Tc)	6904pF @ 25 V	104W（Tc）	1.25ミリオーム @ 123A、 10V	2.5V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	DirectFET? Isometric ME
質量保證	来自供应商的订	IRL7486MTRPBF INFINEON	60,000	2044+		预计 16个工作日	核友型号：st60359142	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	209A(Tc)	6904pF @ 25 V	104W（Tc）	1.25ミリオーム @ 123A、 10V	2.5V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	DirectFET? Isometric ME
質量保證 B-2	来自供应商的订海外位置	IRL7486MTRPBF INFINEON	4,616	17 /18 /19	MOQ : 4,616 SPQ : 1	预计 8个工作日	核友型号：st50311174	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	209A(Tc)	6904pF @ 25 V	104W（Tc）	1.25ミリオーム @ 123A、 10V	2.5V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	DirectFET? Isometric ME
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRL80HS120 INFINEON	8,085	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404765	Infineon Technologies	OptiMOS 5	Nチャンネル	80V	4.5V、10V	12.5A(Tc)	540pF @ 25 V	11.5W（Tc）	32ミリオーム @ 7.5A、10V	2V @ 10µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）	標準品		面実装	6-PQFN（2x2）（DFN2020）
質量保證 C-1	来自供应商的订	IRL8113PBF INFINEON	46			预计 7个工作日	核友型号：st67291353	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	105A(Tc)	2840pF @ 15 V	110W（Tc）	6ミリオーム @ 21A、10V	2.25V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB 3813PBF INFINEON	2			预计 11个工作日	核友型号：st67960255
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB3034PBF INFINEON	928	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787264	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	195A(Tc)	10315pF @ 25 V	375W（Tc）	1.7ミリオーム @ 195A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRLB3034PBF INFINEON	10,000	21+		预计 8个工作日	核友型号：st71928660	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	195A(Tc)	10315pF @ 25 V	375W（Tc）	1.7ミリオーム @ 195A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLB3034PBF INFINEON	22,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404766	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	195A(Tc)	10315pF @ 25 V	375W（Tc）	1.7ミリオーム @ 195A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRLB3034PBF INFINEON	22,000	21+	MOQ : 22,000 SPQ : 1	预计 8个工作日	核友型号：st62600983	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	195A(Tc)	10315pF @ 25 V	375W（Tc）	1.7ミリオーム @ 195A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLB3034PBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	核友型号：st50102932	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	40V	4.5V、10V	195A(Tc)	10315pF @ 25 V	375W（Tc）	1.7ミリオーム @ 195A、10V	2.5V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647337	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	260A(Tc)	8420pF @ 15 V	230W（Tc）	1.95ミリオーム @ 60A、10V	2.35V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB3813PBF INFINEON	2,500	21+		预计 12个工作日	核友型号：st64280121	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	260A(Tc)	8420pF @ 15 V	230W（Tc）	1.95ミリオーム @ 60A、10V	2.35V @ 150µA	57 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 C-1	来自供应商的订	IRLB4132PBF INFINEON / IR	2,000	22+		预计 11个工作日	核友型号：st71716886	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	78A(Tc)	5110pF @ 15 V	140W（Tc）	3.5ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB4132PBF INFINEON	1,700	17+		预计 11个工作日	核友型号：st71361842	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	78A(Tc)	5110pF @ 15 V	140W（Tc）	3.5ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRLB4132PBF INFINEON	600	21+		预计 8个工作日	核友型号：st71930041	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	78A(Tc)	5110pF @ 15 V	140W（Tc）	3.5ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB4132PBF INFINEON	4,000	21+		预计 12个工作日	核友型号：st64817470	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	78A(Tc)	5110pF @ 15 V	140W（Tc）	3.5ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLB4132PBF INFINEON	150	1730+		预计 16个工作日	核友型号：st49404769	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	78A(Tc)	5110pF @ 15 V	140W（Tc）	3.5ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647338	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	171A(Tc)	5050pF @ 15 V	125W（Tc）	2.4ミリオーム @ 68A、10V	2.2V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220-3
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLB8314PBF INFINEON	500	21+		预计 12个工作日	核友型号：st49316204	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	171A(Tc)	5050pF @ 15 V	125W（Tc）	2.4ミリオーム @ 68A、10V	2.2V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220-3
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB8721PBF INFINEON	975	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787241	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	62A(Tc)	1077pF @ 15 V	65W（Tc）	8.7ミリオーム @ 31A、10V	2.35V @ 25µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLB8748PBF INFINEON	500	21+		预计 12个工作日	核友型号：st70710696	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	92A(Tc)	2139pF @ 15 V	75W（Tc）	4.8ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 50µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLB8748PBF INFINEON	2,550	19+		预计 16个工作日	核友型号：st49404770	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	92A(Tc)	2139pF @ 15 V	75W（Tc）	4.8ミリオーム @ 40A、10V	2.35V @ 50µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLH5030TRPBF INFINEON	448	18+		预计 16个工作日	核友型号：st49404771	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	4.5V、10V	13A(TA)、100A(Tc)	5185pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	9ミリオーム @ 50A、10V	2.5V @ 150µA		±16V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLH6224TRPBF INFINEON	32,000	1436+		预计 16个工作日	核友型号：st50161988
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLHM620TRPBF INFINEON	91	1248		预计 11个工作日	核友型号：st68061031	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	20V	2.5V、10V	26A(TA)、40A(Tc)	3620pF @ 10 V	2.7W（Ta）、37W（Tc）	2.5ミリオーム @ 20A、4.5V	1.1V @ 50µA		±12V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（3x3）
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLHM620TRPBF INFINEON	500	21+		预计 12个工作日	核友型号：st64280122	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	20V	2.5V、10V	26A(TA)、40A(Tc)	3620pF @ 10 V	2.7W（Ta）、37W（Tc）	2.5ミリオーム @ 20A、4.5V	1.1V @ 50µA		±12V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（3x3）
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLHM620TRPBF INFINEON	21,600	14+		预计 16个工作日	核友型号：st50161990	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	20V	2.5V、10V	26A(TA)、40A(Tc)	3620pF @ 10 V	2.7W（Ta）、37W（Tc）	2.5ミリオーム @ 20A、4.5V	1.1V @ 50µA		±12V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（3x3）
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRLHM620TRPBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	核友型号：st50102934	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	20V	2.5V、10V	26A(TA)、40A(Tc)	3620pF @ 10 V	2.7W（Ta）、37W（Tc）	2.5ミリオーム @ 20A、4.5V	1.1V @ 50µA		±12V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（3x3）
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRLHS6276TRPBF INFINEON	433	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787144	Infineon Technologies	HEXFETR	20V	4.5A	310pF @ 10V	1.5W	45ミリオーム @ 3.4A、4.5V	1.1V @ 10μA	3.1nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	6-PQFNデュアル（2x2）
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRLHS6376TRPBF INFINEON	8,000	22+		预计 8个工作日	核友型号：st71928230	Infineon Technologies	HEXFETR	30V	3.6A	270pF @ 25V	1.5W	63ミリオーム @ 3.4A、4.5V	1.1V @ 10μA	2.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	6-PQFNデュアル（2x2）