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หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SQ2348ES-T1_BE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SQ2348ES-T1_BE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 540 pF @ 15 V 3W(Tc) 24リオーム @ 12A、10V 2.5V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2348ES-T1_GE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 540 pF @ 15 V 3W(Tc) 24リオーム @ 12A、10V 2.5V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2351ES-T1_BE3

   

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Pチャンネル 20 V 3.2A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 20 V 3.2A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 20 V 3.2A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 20 V 3.2A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SQ2361AEES-T1_BE3

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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装
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Pチャンネル 60 V 10V 2.8A(Tc) 620 pF @ 30 V 2W(Tc) 170ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TA) 面実装 MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2361AEES-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 2.8A(Tc) 620 pF @ 30 V 2W(Tc) 170ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TA) 面実装 MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 2.8A(Tc) 550 pF @ 30 V 2W(Tc) 177ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装
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Pチャンネル 60 V 10V 2.8A(Tc) 550 pF @ 30 V 2W(Tc) 177ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2361ES-T1_GE3

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Pチャンネル 60 V 2.8A(Tc) 2W(Tc) 面実装
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Pチャンネル 60 V 10V 2.8A(Tc) 550 pF @ 30 V 2W(Tc) 177ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 60 V 4.3A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.3A(Tc) 550 pF @ 30 V 3W(Tc) 68ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 60 V 4.3A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.3A(Tc) 550 pF @ 30 V 3W(Tc) 68ミリオーム @ 2.4A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2362ES-T1_GE3

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Nチャンネル 60 V 4.3A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 4.3A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 10V 4.3A(Tc) 550 pF @ 30 V 3W(Tc) 95ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2364EES-T1_BE3

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Nチャンネル 60 V 2A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 1.5V、4.5V 2A(Tc) 330 pF @ 25 V 3W(Tc) 240ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2364EES-T1_BE3

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Nチャンネル 60 V 2A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ2364EES-T1_BE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 1.5V、4.5V 2A(Tc) 330 pF @ 25 V 3W(Tc) 240ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2364EES-T1_GE3

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Nチャンネル 60 V 2A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 1.5V、4.5V 2A(Tc) 330 pF @ 25 V 3W(Tc) 240ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2364EES-T1_GE3

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Nチャンネル 60 V 2A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2364EES-T1_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 1.5V、4.5V 2A(Tc) 330 pF @ 25 V 3W(Tc) 240ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2389ES-T1_BE3

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Pチャンネル 40 V 4.1A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 4.1A(Tc) 420 pF @ 20 V 3W(Tc) 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2389ES-T1_BE3

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Pチャンネル 40 V 4.1A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 4.1A(Tc) 420 pF @ 20 V 3W(Tc) 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2389ES-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 4.1A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2389ES-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 4.1A(Tc) 420 pF @ 20 V 3W(Tc) 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2389ES-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 4.1A(Tc) 3W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2389ES-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 4.1A(Tc) 420 pF @ 20 V 3W(Tc) 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2398ES-T1_BE3

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Nチャンネル 100 V 1.6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ2398ES-T1_BE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 1.6A(Tc) 152 pF @ 50 V 2W(Tc) 300ミリオーム @ 1.5A、10V 3.5V @ 250µA 3.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2398ES-T1_BE3

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Nチャンネル 100 V 1.6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ2398ES-T1_BE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 1.6A(Tc) 152 pF @ 50 V 2W(Tc) 300ミリオーム @ 1.5A、10V 3.5V @ 250µA 3.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2398ES-T1_GE3

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Nチャンネル 100 V 1.6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2398ES-T1_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 1.6A(Tc) 152 pF @ 50 V 2W(Tc) 300ミリオーム @ 1.5A、10V 3.5V @ 250µA 3.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ2398ES-T1_GE3

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Nチャンネル 100 V 1.6A(Tc) 2W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ2398ES-T1_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 10V 1.6A(Tc) 152 pF @ 50 V 2W(Tc) 300ミリオーム @ 1.5A、10V 3.5V @ 250µA 3.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SQ3410EV-T1_BE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 5W(Tc) 面実装 6-TSOP
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ3410EV-T1_BE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1005 pF @ 15 V 5W(Tc) 17.5ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 5W(Tc) 面実装 6-TSOP
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ3410EV-T1_BE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1005 pF @ 15 V 5W(Tc) 17.5ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
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SQ3410EV-T1_GE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 5W(Tc) 面実装 6-TSOP
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ3410EV-T1_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1005 pF @ 15 V 5W(Tc) 17.5ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
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SQ3410EV-T1_GE3

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Nチャンネル 30 V 8A(Tc) 5W(Tc) 面実装 6-TSOP
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ3410EV-T1_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1005 pF @ 15 V 5W(Tc) 17.5ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -

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