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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SQ4184EY-T1_GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 29A(Tc) 7.1W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4184EY-T1_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 29A(Tc) 5400 pF @ 20 V 7.1W(Tc) 4.6ミリオーム @ 14A、10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4282EY-T1_BE3

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MOSFET - アレイ 30V 8A(Tc) 3.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4282EY-T1_BE3TR-ND@0

30V 8A(Tc) 2367pF @ 15V 3.9W(Tc) 12.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4282EY-T1_BE3

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MOSFET - アレイ 30V 8A(Tc) 3.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4282EY-T1_BE3CT-ND@0

30V 8A(Tc) 2367pF @ 15V 3.9W(Tc) 12.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4282EY-T1_GE3

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MOSFET - アレイ 30V 8A(Tc) 3.9W 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4282EY-T1_GE3CT-ND@0

30V 8A(Tc) 2367pF @ 15V 3.9W 12.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4282EY-T1_GE3

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MOSFET - アレイ 30V 8A(Tc) 3.9W 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4282EY-T1_GE3TR-ND@0

30V 8A(Tc) 2367pF @ 15V 3.9W 12.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 47nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4284EY-T1_BE3

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MOSFET - アレイ 40V 8A(Tc) 3.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4284EY-T1_BE3CT-ND@0

40V 8A(Tc) 2200pF @ 25V 3.9W(Tc) 13.5ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4284EY-T1_BE3

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MOSFET - アレイ 40V 8A(Tc) 3.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4284EY-T1_BE3TR-ND@0

40V 8A(Tc) 2200pF @ 25V 3.9W(Tc) 13.5ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4284EY-T1_GE3

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MOSFET - アレイ 40V 3.9W 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4284EY-T1_GE3TR-ND@0

40V - 2200pF @ 25V 3.9W 13.5ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4284EY-T1_GE3

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MOSFET - アレイ 40V 3.9W 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4284EY-T1_GE3CT-ND@0

40V - 2200pF @ 25V 3.9W 13.5ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SQ4401CEY-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4401CEY-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4401CEY-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4401CEY-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4401EY-T1_BE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4401EY-T1_BE3

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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4401EY-T1_BE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4401EY-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4401EY-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4401EY-T1_GE3

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Pチャンネル 40 V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4401EY-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.3A(Tc) 4250 pF @ 20 V 7.14W(Tc) 14ミリオーム @ 10.5A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4410EY-T1_BE3

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Nチャンネル 30 V 15A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4410EY-T1_BE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2385 pF @ 25 V 5W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4410EY-T1_BE3

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Nチャンネル 30 V 15A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4410EY-T1_BE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2385 pF @ 25 V 5W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4410EY-T1_GE3

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Nチャンネル 30 V 15A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4410EY-T1_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2385 pF @ 25 V 5W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4410EY-T1_GE3

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Nチャンネル 30 V 15A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4410EY-T1_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2385 pF @ 25 V 5W(Tc) 12ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4425EY-T1_BE3

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4425EY-T1_BE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3630 pF @ 25 V 6.8W(Tc) 12ミリオーム @ 13A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4425EY-T1_BE3

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4425EY-T1_BE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3630 pF @ 25 V 6.8W(Tc) 12ミリオーム @ 13A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4425EY-T1_GE3

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4425EY-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3630 pF @ 25 V 6.8W(Tc) 12ミリオーム @ 13A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4425EY-T1_GE3

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4425EY-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3630 pF @ 25 V 6.8W(Tc) 12ミリオーム @ 13A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4431EY-T1_BE3

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Pチャンネル 30 V 10.8A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4431EY-T1_BE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.8A(Tc) 1265 pF @ 15 V 6W(Tc) 30ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4431EY-T1_BE3

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Pチャンネル 30 V 10.8A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4431EY-T1_BE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.8A(Tc) 1265 pF @ 15 V 6W(Tc) 30ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4431EY-T1_GE3

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Pチャンネル 30 V 10.8A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4431EY-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 10V 10.8A(Tc) 1265 pF @ 15 V 6W(Tc) 30ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 30 V 10.8A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4431EY-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 10V 10.8A(Tc) 1265 pF @ 15 V 6W(Tc) 30ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 30 V 15A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4435EY-T1_BE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2170 pF @ 15 V 6.8W(Tc) 18ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4435EY-T1_BE3

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Pチャンネル 30 V 15A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4435EY-T1_BE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2170 pF @ 15 V 6.8W(Tc) 18ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 30 V 15A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4435EY-T1_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2170 pF @ 15 V 6.8W(Tc) 18ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4435EY-T1_GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 15A(Tc) 6.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4435EY-T1_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Tc) 2170 pF @ 15 V 6.8W(Tc) 18ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4470EY-T1_BE3

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Nチャンネル 60 V 16A(Tc) 7.1W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4470EY-T1_BE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 6V、10V 16A(Tc) 3165 pF @ 25 V 7.1W(Tc) 12ミリオーム @ 6A、10V 3.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SQ4470EY-T1_BE3

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Nチャンネル 60 V 16A(Tc) 7.1W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQ4470EY-T1_BE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 6V、10V 16A(Tc) 3165 pF @ 25 V 7.1W(Tc) 12ミリオーム @ 6A、10V 3.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 60 V 16A(Tc) 7.1W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SQ4470EY-T1_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 6V、10V 16A(Tc) 3165 pF @ 25 V 7.1W(Tc) 12ミリオーム @ 6A、10V 3.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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