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ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SPD09P06PLGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 9.7A（Tc） 42W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD09P06PLGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 9.7A（Tc） 450 pF @ 25 V 42W（Tc） 250ミリオーム @ 6.8A、10V 2V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD15P10PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 15A（Tc） 128W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD15P10PGBTMA1TR-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 15A（Tc） 1280 pF @ 25 V 128W（Tc） 240ミリオーム @ 10.6A、10V 2.1V @ 1.54mA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD15P10PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 15A（Tc） 128W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD15P10PGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 15A（Tc） 1280 pF @ 25 V 128W（Tc） 240ミリオーム @ 10.6A、10V 2.1V @ 1.54mA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD15P10PLGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 15A（Tc） 128W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD15P10PLGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 15A（Tc） 1490 pF @ 25 V 128W（Tc） 200ミリオーム @ 11.3A、10V 2V @ 1.54mA 62 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD15P10PLGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 15A（Tc） 128W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD15P10PLGBTMA1TR-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 15A（Tc） 1490 pF @ 25 V 128W（Tc） 200ミリオーム @ 11.3A、10V 2V @ 1.54mA 62 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD18P06PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 18.6A（Tc） 80W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD18P06PGBTMA1TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 18.6A（Tc） 860 pF @ 25 V 80W（Tc） 130ミリオーム @ 13.2A、10V 4V @ 1mA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD18P06PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 18.6A（Tc） 80W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD18P06PGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 18.6A（Tc） 860 pF @ 25 V 80W（Tc） 130ミリオーム @ 13.2A、10V 4V @ 1mA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD30P06PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 30A（Tc） 125W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD30P06PGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 30A（Tc） 1535 pF @ 25 V 125W（Tc） 75ミリオーム @ 21.5A、10V 4V @ 1.7mA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD30P06PGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 30A（Tc） 125W（Tc） 面実装 PG-TO252-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD30P06PGBTMA1TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 30A（Tc） 1535 pF @ 25 V 125W（Tc） 75ミリオーム @ 21.5A、10V 4V @ 1.7mA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD50N03S2L06T
   

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Nチャンネル 30 V 50A（Tc） 136W（Tc） 面実装 PG-TO252-3-11
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD50N03S2L06XTINCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A（Tc） 2530 pF @ 25 V 136W（Tc） 6.4ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 85µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3-11 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD50P03LGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 50A（Tc） 150W（Tc） 面実装 PG-TO252-5
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD50P03LGBTMA1CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 10V 50A（Tc） 6880 pF @ 25 V 150W（Tc） 7ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-5 MOSFET（金属酸化物） -
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SPD50P03LGBTMA1
RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 50A（Tc） 150W（Tc） 面実装 PG-TO252-5
CoreStaff Part Number：zp2216-SPD50P03LGBTMA1TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 10V 50A（Tc） 6880 pF @ 25 V 150W（Tc） 7ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-5 MOSFET（金属酸化物） -
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MOSFET - アレイ 275V 6A（Ta） 2.5W（Tc） 面実装 20-HSOP
CoreStaff Part Number：zp2216-1261-SPF0004CT-ND@0

275V 6A（Ta） 960pF @ 10V 2.5W（Tc） 260ミリオーム @ 6A、10V 2.6V @ 1mA - MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） - 150°C（TJ） 面実装 20-HSOP
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SPI21N50C3XKSA1
RoHS
   

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Nチャンネル 560 V 21A（Tc） 208W（Tc） スルーホール PG-TO262-3-1
CoreStaff Part Number：zp2216-448-SPI21N50C3XKSA1-ND@0

Nチャンネル 560 V 10V 21A（Tc） 2400 pF @ 25 V 208W（Tc） 190ミリオーム @ 13.1A、10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO262-3-1 MOSFET（金属酸化物） -
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SPP04N80C3XKSA1
RoHS
   

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Nチャンネル 800 V 4A（Tc） 63W（Tc） スルーホール PG-TO220-3
CoreStaff Part Number：zp2216-SPP04N80C3XKSA1-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 4A（Tc） 570 pF @ 100 V 63W（Tc） 1.3オーム @ 2.5A、10V 3.9V @ 240µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO220-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPP06N80C3XKSA1
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Nチャンネル 800 V 6A（Tc） 83W（Tc） スルーホール PG-TO220-3
CoreStaff Part Number：zp2216-448-SPP06N80C3XKSA1-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 6A（Tc） 785 pF @ 100 V 83W（Tc） 900ミリオーム @ 3.8A、10V 3.9V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO220-3 MOSFET（金属酸化物） -
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SPP07N60C3XKSA1
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Nチャンネル 650 V 7.3A（Tc） 83W（Tc） スルーホール PG-TO220-3-1
CoreStaff Part Number：zp2216-SPP07N60C3XKSA1-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 7.3A（Tc） 790 pF @ 25 V 83W（Tc） 600ミリオーム @ 4.6A、10V 3.9V @ 350µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO220-3-1 MOSFET（金属酸化物） -

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