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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 6A(Tc) 363 pF @ 400 V 30W（Tc） 600ミリオーム @ 1.7A、10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 10V 13A(Tc) 716 pF @ 50 V 31W（Tc） 78ミリオーム @ 13A、10V 4V @ 12µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 800V 10V 4A(Tc) 250 pF @ 500 V 32W（Tc） 1.4オーム @ 1.4A、10V 3.5V @ 700µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-2
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 800V 10V 13A(Tc) 930 pF @ 500 V 84W（Tc） 360ミリオーム @ 5.6A、10V 3.5V @ 280µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30V 4.5V、10V 90A(Tc) 5100 pF @ 25 V 94W（Tc） 3.3ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 45µA 75 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO252-3-11
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 90A(Tc) 5260 pF @ 25 V 94W（Tc） 3.2ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 53µA 66.8 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-313
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 90A(Tc) 3440 pF @ 25 V 71W（Tc） 4.1ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 35µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-313
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 86A(Tc) 2960 pF @ 25 V 65W（Tc） 5.2ミリオーム @ 86A、10V 4V @ 30µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-313
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 4.5V、10V 90A(Tc) 4690 pF @ 25 V 71W（Tc） 3.8ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 35µA 60 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-313
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 10V 90A(Tc) 10400 pF @ 25 V 150W（Tc） 3.8ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-11
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 10V 90A(Tc) 6500 pF @ 25 V 107W（Tc） 5.1ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-11
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 4.5V、10V 90A(Tc) 13000 pF @ 25 V 150W（Tc） 3.5ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-11
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 4.5V、10V 90A(Tc) 5680 pF @ 25 V 79W（Tc） 6.3ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3-11
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 950V 10V 6A(Tc) 478 pF @ 400 V 52W（Tc） 1.2オーム @ 2.7A、10V 3.5V @ 140µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
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1pcs ～  ¥1192.34
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 52A(Tc) 2724 pF @ 400 V 329W（Tc） 55ミリオーム @ 15.1A、10V 4.5V @ 760µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-10-1
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12
1pcs ～  ¥1040.44
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 40A(Tc) 2102 pF @ 400 V 266W（Tc） 75ミリオーム @ 11.4A、10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-10-1
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1pcs ～  ¥842.98
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 33A(Tc) 1747 pF @ 400 V 227W（Tc） 90ミリオーム @ 9.3A、10V 4.5V @ 470µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-10-1
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1pcs ～  ¥546.8
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 24A(Tc) 1199 pF @ 400 V 160W（Tc） 145ミリオーム @ 6A、10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-10-1
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750pcs ～  ¥3883.75
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 12V 174A(Tc) 11986 pF @ 300 V 694W（Tc） 10ミリオーム @ 50A、12V 4.5V @ 3.06mA 318 nC @ 12 V ±20V -40°C～150°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22-1
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750pcs ～  ¥2298.11
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 12V 113A(Tc) 7370 pF @ 300 V 500W（Tc） 17ミリオーム @ 29A、12V 4.5V @ 1.88mA 196 nC @ 12 V ±30V -40°C～150°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22-1
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750pcs ～  ¥1866.12
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 12V 90A(Tc) 5640 pF @ 300 V 416W（Tc） 22ミリオーム @ 23A、12V 4.5V @ 1.43mA 150 nC @ 12 V ±30V -40°C～150°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-22-1
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 49A(TA)、302A(Tc) 15000 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、375W（Tc） 0.9ミリオーム @ 100A、10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-U02
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800pcs ～  ¥743.42
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5,600pcs ～  ¥571.8

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コアスタッフ型名：st67697972


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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 44A(TA)、293A(Tc) 13800 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 1.05ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-U02
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4,000pcs ～  ¥486.51

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以降発注単位 : 800

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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 41A(TA)、282A(Tc) 10500 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、250W（Tc） 1.2ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-U02
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 35A(TA)、223A(Tc) 7300 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、188W（Tc） 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-U02
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 259A(Tc) 8700 pF @ 40 V 250W（Tc） 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-14
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 209A(Tc) 6200 pF @ 40 V 214W（Tc） 2.3ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 139µA 133 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-14
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 227A(Tc) 7300 pF @ 50 V 250W（Tc） 2.4ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-14
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 21A(TA)、139A(Tc) 4000 pF @ 50 V 3.8W（Ta）、167W（Tc） 4.25ミリオーム @ 80A、10V 3.8V @ 93µA 85 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 19A(TA)、117A(Tc) 3600 pF @ 50 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 5.05ミリオーム @ 60A、10V 3.8V @ 84µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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コアスタッフ型名：st67697979


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Infineon Technologies OptiMOS™ 40V 20A 3050pF @ 25V 54W 8.2ミリオーム @ 17A、10V 2.2V @ 22μA 39nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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Infineon Technologies OptiMOS™ 40V 20A 1990pF @ 25V 41W 11.6ミリオーム @ 17A、10V 2.2V @ 15μA 26nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 2 Nチャンネル（デュアル） 論理レベルゲート -55°C～175°C(TJ) 面実装、濡れ性フランク PG-TDSON-8-10
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コアスタッフ型名：st67697983


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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 16A(Tc) 1520 pF @ 100 V 139W（Tc） 199ミリオーム @ 9.9A、10V 3.5V @ 660µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO262-3-1
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コアスタッフ型名：st70516626


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 22.4A(Tc) 2080 pF @ 100 V 176W（Tc） 180ミリオーム @ 9A、10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4
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コアスタッフ型名：st70516627


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 19.2A(Tc) 1750 pF @ 100 V 151W（Tc） 210ミリオーム @ 7.6A、10V 4.5V @ 630µA 37 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-VSON-4
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コアスタッフ型名：st67697984


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 5.2A(Tc) 230 pF @ 400 V 31.3W（Tc） 1オーム @ 1A、10V 4.5V @ 50µA 6 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-52
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67697985


ポイント還元率：0.0%

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 3.8A(Tc) 169 pF @ 400 V 25W（Tc） 1.5オーム @ 700mA、10V 4.5V @ 40µA 4.6 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-52
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3,000pcs ～  ¥45.95
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67697987


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 4.8A(Tc) 178 pF @ 100 V 5W（Tc） 1.4オーム @ 900mA、13V 3.5V @ 70µA 8.2 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-SOT223-3
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3,000
3,000pcs ～  ¥41.36
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67697988


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 3.6A(Tc) 124 pF @ 100 V 5W（Tc） 2オーム @ 600mA、13V 3.5V @ 50µA 6 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-SOT223-3
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21,000
3,000pcs ～  ¥80.86
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67826703


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™PFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 3.6A(Tc) 169 pF @ 400 V 6W（Tc） 1.5オーム @ 700mA、10V 4.5V @ 40µA 4.6 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) 面実装 PG-SOT223-3
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3,000
3,000pcs ～  ¥110.08
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最低発注数量 : 3,000
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 2026/11/11
15:00 までのオーダーで
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コアスタッフ型名：st67697994


ポイント還元率：0.0%

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 800V 10V 3A(Tc) 175 pF @ 500 V 6.4W（Tc） 2オーム @ 940mA、10V 3.5V @ 50µA 9 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-SOT223
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27,000
3,000pcs ～  ¥97.7
6,000pcs ～  ¥92.0
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st76988613


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 800V 10V 2.5A(Tc) 150 pF @ 500 V 6.3W（Tc） 2.4オーム @ 800mA、10V 3.5V @ 40µA 7.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-SOT223
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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67697997


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 2026/11/11
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コアスタッフ型名：st67698001


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 29A(TA)、121A(Tc) 4800 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 2.6ミリオーム @ 70A、10V 3.4V @ 81µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-U05
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コアスタッフ型名：st70516376


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 27A(TA)、184A(Tc) 7300 pF @ 50 V 3.8W（Ta）、250W（Tc） 2.6ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3
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コアスタッフ型名：st67698003


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 100A(Tc) 14800 pF @ 50 V 300W（Tc） 3ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 275µA 206 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3
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コアスタッフ型名：st67698005


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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 25A(TA)、113A(Tc) 3200 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、107W（Tc） 3.3ミリオーム @ 70A、10V 3.4V @ 53µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-U05
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 4.5V、10V 90A(Tc) 13000 pF @ 30 V 167W（Tc） 3.7ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 93µA 79 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3

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