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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 7V、10V 175A 11310 pF @ 20 V 219W（Tc） 0.44ミリオーム @ 88A、10V 3V @ 130µA 169 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-53
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 260A(Tj) 11830 pF @ 50 V 300W（Tc） 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 210µA 166 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-16-2
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 300A(Tj) 13178 pF @ 40 V 300W（Tc） 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 230µA 187 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HDSOP-16-2
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 150A(Tc) 6110 pF @ 50 V 166W（Tc） 3.5ミリオーム @ 75A、10V 3.8V @ 110µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-HSOF-8-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 36A(Tc) 1145 pF @ 800 V 181W（Tc） 83ミリオーム @ 13A、18V 5.7V @ 5.6mA 34 nC @ 18 V +18V、-15V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 238A(Tc) 6359 pF @ 400 V 789W（Tc） 8.5ミリオーム @ 146.3A、18V 5.6V @ 2.97mA 179 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 91A(Tc) 2038 pF @ 400 V 326W（Tc） 24ミリオーム @ 46.9A、18V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 49A(Tc) 997 pF @ 400 V 197W（Tc） 49ミリオーム @ 22.9A、18V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750V 15V、20V 98A(Tc) 2869 pF @ 500 V 384W（Tc） 15ミリオーム @ 41.5A、20A 5.6V @ 14.9mA 80 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-22-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750V 15V、20V 47A(Tc) 1135 pF @ 500 V 211W（Tc） 37ミリオーム @ 16.6A、20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-22-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V、18V 4.7A(Tc) 182 pF @ 800 V 60W（Tc） 455ミリオーム @ 2A、18V 5.7V @ 1mA 5.3 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 93A(Tc) 2792 pF @ 400 V 341W（Tc） 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 83A(Tc) 2038 pF @ 400 V 273W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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コアスタッフ型名：st67697845


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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18V 47A(Tc) 2131 pF @ 400 V 189W（Tc） 34ミリオーム @ 38.3A、18V 5.7V @ 11mA 62 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 46A(Tc) 997 pF @ 400 V 172W（Tc） 36ミリオーム @ 22.9A、20V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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コアスタッフ型名：st72794358


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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18V 39A(Tc) 1118 pF @ 400 V 125W（Tc） 64ミリオーム @ 20.1A、18V 5.7V @ 6mA 33 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 38A(Tc) 790 pF @ 400 V 153W（Tc） 46ミリオーム @ 18.2A、20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18V 26A(Tc) 744 pF @ 400 V 96W（Tc） 94ミリオーム @ 13.3A、18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V 52A(Tc) 1900 pF @ 800 V 228W（Tc） 59ミリオーム @ 20A、15V 5.7V @ 10mA 52 nC @ 15 V +20V、-10V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V、18V 26A(Tc) 707 pF @ 800 V 115W（Tc） 117ミリオーム @ 8.5A、18V 5.7V @ 3.7mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 83A(Tc) 2038 pF @ 400 V 273W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-8
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コアスタッフ型名：st67697852


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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 83A(Tc) 7300 pF @ 50 V 41W（Tc） 3ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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IPA032N06N3GXKSA1
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コアスタッフ型名：st73440684


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 10V 84A(Tc) 13000 pF @ 30 V 41W（Tc） 3.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 118µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-31
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 66A(Tc) 4700 pF @ 50 V 38W（Tc） 5ミリオーム @ 33A、10V 3.8V @ 84µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 43A(Tc) 7280 pF @ 75 V 39W（Tc） 7.5ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 270µA 93 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 46A(Tc) 2000 pF @ 50 V 35W（Tc） 8.2ミリオーム @ 30A、10V 3.8V @ 46µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 44A(Tc) 2730 pF @ 50 V 36W（Tc） 8.3ミリオーム @ 44A、10V 3.8V @ 49µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 10V 23A(Tc) 2540 pF @ 100 V 34W（Tc） 140ミリオーム @ 14A、10V 3.5V @ 930µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-31
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 18.1A(Tc) 773 pF @ 100 V 30.4W（Tc） 280ミリオーム @ 4.2A、13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 6.3A(Tc) 584 pF @ 100 V 29.2W（Tc） 380ミリオーム @ 3.2A、13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 5.4A(Tc) 433 pF @ 100 V 28W（Tc） 500ミリオーム @ 2.3A、13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 4.1A(Tc) 280 pF @ 100 V 26.4W（Tc） 800ミリオーム @ 1.5A、13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13V 3.7A(Tc) 231 pF @ 100 V 25.7W（Tc） 950ミリオーム @ 1.2A、13V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 37A(Tc) 2180 pF @ 400 V 29W（Tc） 80ミリオーム @ 11.8A、10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 30A(Tc) 2660 pF @ 100 V 34W（Tc） 125ミリオーム @ 11.6A、10V 4.5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 23.8A(Tc) 1660 pF @ 100 V 34W（Tc） 160ミリオーム @ 11.3A、10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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コアスタッフ型名：st69013347


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 23.8A(Tc) 2080 pF @ 100 V 34W（Tc） 160ミリオーム @ 9A、10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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コアスタッフ型名：st67697860


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 18A(Tc) 1081 pF @ 400 V 26W（Tc） 180ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 280µA 25 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-312
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以降発注単位 : 1

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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 20.2A(Tc) 1400 pF @ 100 V 34W（Tc） 190ミリオーム @ 9.5A、10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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500pcs ～  ¥216.08
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コアスタッフ型名：st69013348


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 13.8A(Tc) 1190 pF @ 100 V 32W（Tc） 280ミリオーム @ 5.2A、10V 4.5V @ 430µA 25.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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コアスタッフ型名：st69013349


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 12A(Tc) 761 pF @ 400 V 24W（Tc） 280ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 190µA 18 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 5A(Tc) 679 pF @ 400 V 23W（Tc） 360ミリオーム @ 2.9A、10V 4.5V @ 140µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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コアスタッフ型名：st70516137


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 9A(Tc) 555 pF @ 400 V 22W（Tc） 360ミリオーム @ 2.7A、10V 4V @ 140µA 13 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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コアスタッフ型名：st67697862


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 10.6A(Tc) 877 pF @ 100 V 31W（Tc） 380ミリオーム @ 3.8A、10V 4.5V @ 320µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 4.9A(Tc) 557 pF @ 100 V 28W（Tc） 600ミリオーム @ 2.4A、10V 4.5V @ 200µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 6A(Tc) 363 pF @ 400 V 21W（Tc） 600ミリオーム @ 1.7A、10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 17.5A(Tc) 1850 pF @ 100 V 34W（Tc） 190ミリオーム @ 7.3A、10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP

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