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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 700V 10V 8.5A(Tc) 364 pF @ 400 V 25W（Tc） 600ミリオーム @ 1.8A、10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 10 V ±16V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 950V 10V 14A(Tc) 1053 pF @ 400 V 30W（Tc） 450ミリオーム @ 7.2A、10V 3.5V @ 360µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 18A(Tc) 1081 pF @ 400 V 26W（Tc） 180ミリオーム @ 5.6A、10V 4V @ 280µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 12A(Tc) 761 pF @ 400 V 24W（Tc） 280ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 190µA 18 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 6A(Tc) 363 pF @ 400 V 21W（Tc） 600ミリオーム @ 1.7A、10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 45A(TA)、180A(Tc) 15000 pF @ 30 V 300W（Tc） 1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 280µA 208 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 4.5V、10V 180A(Tc) 29000 pF @ 20 V 250W（Tc） 1.1ミリオーム @ 100A、10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 40A(TA)、198A(Tc) 13800 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 38A(TA)、191A(Tc) 7500 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、188W（Tc） 1.45ミリオーム @ 100A、10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 37A(TA)、195A(Tc) 10500 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、250W（Tc） 1.5ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 180A(Tc) 15600 pF @ 50 V 375W（Tc） 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 279µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 34A(TA)、187A(Tc) 7300 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、188W（Tc） 1.8ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 180A(Tc) 14200 pF @ 40 V 300W（Tc） 1.9ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 270µA 206 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 120A(Tc) 15600 pF @ 50 V 375W（Tc） 2ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 270µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 10V 176A(Tc) 840 pF @ 50 V 313W（Tc） 2ミリオーム @ 100A、10V 4.1V @ 270µA 195 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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50pcs ～  ¥202.18
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 30A(TA)、122A(Tc) 4800 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 2.35ミリオーム @ 70A、10V 3.4V @ 81µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 107A(Tc) 6200 pF @ 40 V 150W（Tc） 2.4ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 85µA 133 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 120A(Tc) 14200 pF @ 40 V 300W（Tc） 2.5ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 270µA 206 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 25A(TA)、100A(Tc) 4100 pF @ 30 V 3W（Ta）、136W（Tc） 2.6ミリオーム @ 100A、10V 2.8V @ 75µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 162A(Tc) 7300 pF @ 50 V 250W（Tc） 2.65ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 120A(Tc) 14800 pF @ 50 V 300W（Tc） 2.7ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 275µA 206 nC @ 10 V ±20V -55°C～155°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 26A(TA)、120A(Tc) 4600 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 2.9ミリオーム @ 70A、10V 3.3V @ 80µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 120A(Tc) 6240 pF @ 40 V 167W（Tc） 3.1ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 108µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 120V 10V 180A(Tc) 13800 pF @ 60 V 300W（Tc） 3.6ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 270µA 211 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 120V 10V 120A(Tc) 13800 pF @ 60 V 300W（Tc） 3.8ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 270µA 211 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 107A(Tc) 3800 pF @ 40 V 3.8W（Ta）、150W（Tc） 4ミリオーム @ 80A、10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 100A(Tc) 8410 pF @ 50 V 214W（Tc） 4.2ミリオーム @ 50A、10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 21A(TA)、135A(Tc) 4000 pF @ 50 V 3.8W（Ta）、167W（Tc） 4.35ミリオーム @ 80A、10V 3.8V @ 93µA 85 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 174A(Tc) 8000 pF @ 75 V 300W（Tc） 4.4ミリオーム @ 87A、10V 4.6V @ 264µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 120A(Tc) 7800 pF @ 75 V 300W（Tc） 4.8ミリオーム @ 60A、10V 4.6V @ 264µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 100A(Tc) 5470 pF @ 75 V 300W（Tc） 7.2ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 270µA 93 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2
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コアスタッフ型名：st68119906


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 4.5V、10V 50A(Tc) 4900 pF @ 30 V 79W（Tc） 8.1ミリオーム @ 50A、10V 2.2V @ 34µA 29 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 10V 50A(Tc) 2900 pF @ 30 V 71W（Tc） 9ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 34µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st67697898


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200V 10V 88A(Tc) 7100 pF @ 100 V 300W（Tc） 10.7ミリオーム @ 88A、10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st68976208


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 83A(Tc) 3230 pF @ 75 V 214W（Tc） 10.8ミリオーム @ 83A、10V 4V @ 160µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st75016690


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 4.5V、10V 160A(Tc) 6000 pF @ 15 V 300W（Tc） 2.7ミリオーム @ 80A、10V 2V @ 250µA 230 nC @ 5 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3
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コアスタッフ型名：st75016691


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 180A(Tc) 22880 pF @ 25 V 300W（Tc） 0.98ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 230µA 286 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO263-7-3
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コアスタッフ型名：st75016692


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 4.5V、10V 180A(Tc) 24440 pF @ 25 V 250W（Tc） 1ミリオーム @ 100A、10V 2.2V @ 180µA 310 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3
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コアスタッフ型名：st75016693


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 240A(Tc) 17682 pF @ 25 V 231W（Tc） 1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 180µA 221 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3
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1,004
1,000pcs ～  ¥546.63
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コアスタッフ型名：st67697904


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 48A(Tc) 2895 pF @ 400 V 164W（Tc） 60ミリオーム @ 15.9A、10V 4V @ 800µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st72436169


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ CP Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 31A(Tc) 2800 pF @ 100 V 255W（Tc） 99ミリオーム @ 18A、10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2
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コアスタッフ型名：st68119907


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 31A(Tc) 1952 pF @ 400 V 117W（Tc） 99ミリオーム @ 10.5A、10V 4V @ 530µA 45 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st70516175


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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 23.8A(Tc) 2080 pF @ 100 V 176W（Tc） 160ミリオーム @ 9A、10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st70516807


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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10V 9A(Tc) 555 pF @ 400 V 41W（Tc） 360ミリオーム @ 2.7A、10V 4V @ 140µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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コアスタッフ型名：st67697905


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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 50A(Tc) 4975 pF @ 400 V 227W（Tc） 41ミリオーム @ 24.8A、10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 25A(Tc) 2513 pF @ 400 V 127W（Tc） 90ミリオーム @ 12.5A、10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 21A(Tc) 1950 pF @ 400 V 114W（Tc） 115ミリオーム @ 9.7A、10V 4.5V @ 490µA 41 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10V 19A(Tc) 1694 pF @ 400 V 98W（Tc） 125ミリオーム @ 8.5A、10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 4.5V、10V 4.6A(TA)、41A(Tc) 11000 pF @ 75 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 72ミリオーム @ 37A、10V 2V @ 5.55mA 224 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 10V 80A(Tc) 3440 pF @ 25 V 71W（Tc） 4.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 35µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO263-3-2

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