ILD217T
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製品スペック
| Ambient Temperature Range High | 100 °C |
| Approvals | UL |
| Case/Package | SOIC |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 70 V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 400 mV |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 70 V |
| Contact Plating | Tin |
| Current Transfer Ratio | 120 % |
| Forward Current | 10 mA |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Height | 3.5 mm |
| Input Current | 10 mA |
| Isolation Voltage | 4 kV |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Input Current | 30 mA |
| Max Operating Temperature | 100 °C |
| Max Output Voltage | 70 V |
| Max Power Dissipation | 300 mW |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | PCB , Surface Mount |
| Number of Channels | 2 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Output Type | Phototransistor |
| Output Voltage | 70 V |
| Packaging | Tape & Reel |
| Power Dissipation | 300 mW |
| Radiation Hardening | No |
| REACH SVHC | Unknown |
| Reverse Breakdown Voltage | 6 V |
| Reverse Voltage | 6 V |
| Reverse Voltage (DC) | 6 V |
| Schedule B | 8541408000, 8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|8541408000|85 |
| Voltage Rating (DC) | 1.2 V |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 6,775
出荷予定日:2026/05/28 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/05/28 当社出荷予定
MOQ:50
SPQ:25
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 50 - 99 | ¥ 169.61 |
| 100 - 299 | ¥ 129.6 |
| 300 - 999 | ¥ 108.19 |
| 1,000 - | ¥ 101.47 |
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SPQ：1
在庫タイプ： 品質保証
コアスタッフ型番：st65349983
