MMBFJ112
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 JFET |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| 電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ） | 1 V @ 1 µA |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 35 V |
| 電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss） | 5 mA @ 15 V |
| 抵抗 - RDS（On） | 50 Ohms |
| 電力 - 最大 | 350 mW |
| 商品概要 | JFET N-CH 35V SOT23-3 |
| 動作温度範囲 | -55°C～150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SOT-23-3 |
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出荷予定日:2025/08/21 当社出荷予定
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