BSM180D12P3C007
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製品スペック
BSM180D12P3C007 is a half bridge module consisting of Silicon Carbide UMOSFET and Silicon Carbide Schottky Barrier Diode.
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 180A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 900pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 880W |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.6V @ 50mA |
| 技術 | シリコンカーバイド（SiC） |
| 構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） |
| 使用温度範囲 | 175°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | DINレールソケット |
| デバイスパッケージ | モジュール |
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コアスタッフ型番：st74906789