FDBL0200N100
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製品スペック
カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
FETタイプ | Nチャンネル |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 100V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 300A(Tc) |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 9760pF @ 50 V |
電力散逸(最大) | 429W(Tc) |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 2ミリオーム @ 80A、10V |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 95 nC |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET(金属酸化物) |
使用温度範囲 | -55°C~175°C(TJ) |
取り付けタイプ | 面実装 |
デバイスパッケージ | 8-HPSOF |
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・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
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SPQ:1
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