SI2312CDS-T1-GE3
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | VISHAY |
| シリーズ | TrenchFETR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V、4.5V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 6A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 865 pF @ 10 V |
| 電力散逸（最大） | 1.25W（Ta）、2.1W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 18 nC @ 5 V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | SOT-23-3（TO-236） |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
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在庫数: 2,972
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