製品スペック
カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
メーカー名 | INFINEON |
シリーズ | HEXFETR |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 55V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 5.1A |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 780pF @ 25V |
電力 - 最大 | 2.4W |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 50ミリオーム @ 5.1A、10V |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3V @ 250μA |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 44nC @ 10V |
技術 | MOSFET(金属酸化物) |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) |
FET機能 | 論理レベルゲート |
使用温度範囲 | -55°C~175°C(TJ) |
取り付けタイプ | 面実装 |
デバイスパッケージ | 8-SOIC |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
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在庫数: 4,000
出荷予定日:納期未定
MOQ:4,000
SPQ:4,000
購入数量 | 単価(JPY) |
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MOQ:500
SPQ:1
在庫タイプ: 品質保証
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