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TT8M2TR
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V、20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 2.5A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 180pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1.25W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 90ミリオーム @ 2.5A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 3.2nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-TSST |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 9,000
出荷予定日:2025/08/25 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/25 当社出荷予定
MOQ:3,000
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 3,000 - 29,999 | ¥ 40.16 |
| 30,000 - 149,999 | ¥ 40.04 |
| 150,000 - 299,999 | ¥ 39.95 |
| 300,000 - | ¥ 39.89 |
