TPN4R712MD,L1Q
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | TOSHIBA |
| シリーズ | U-MOSVI |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V、4.5V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 36A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 4300pF @ 10 V |
| 電力散逸（最大） | 42W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 4.7ミリオーム @ 18A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.2V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 65 nC |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 使用温度範囲 | 150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-TSONアドバンス（3.1x3.1） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 4,187
出荷予定日:2025/08/20 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2025/08/20 当社出荷予定
MOQ:1,000
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1,000 - 9,999 | ¥ 238.4 |
| 10,000 - | ¥ 237.69 |