SI7145DP-T1-GE3
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製品スペック
| Contact Plating | Tin |
| Continuous Drain Current (ID) | -36.5 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Drain to Source Resistance | 2.1 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | -30 V |
| Element Configuration | Single |
| Fall Time | 43 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Height | 1.17 mm |
| Input Capacitance | 15.66 nF |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 104 W |
| Manufacturer Package Identifier | S17-0173-Single |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | Surface Mount |
| Nominal Vgs | -2.3 V |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Power Dissipation | 6.25 W |
| Radiation Hardening | No |
| Rds On Max | 2.6 mΩ |
| REACH SVHC | Unknown |
| Resistance | 2.6 mΩ |
| Rise Time | 110 ns |
| Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Threshold Voltage | -2.3 V |
| Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Turn-On Delay Time | 27 ns |
| Weight | 506.605978 mg |
| Width | 5.89 mm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,890
出荷予定日:2025/08/25 当社出荷予定
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MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 519.64 |
| 10 - 29 | ¥ 283.21 |
| 30 - 49 | ¥ 222.52 |
| 50 - 99 | ¥ 210.39 |
| 100 - 299 | ¥ 201.28 |
| 300 - 499 | ¥ 195.21 |
| 500 - 999 | ¥ 194 |
| 1,000 - | ¥ 193.09 |
