SI7113DN-T1-GE3
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| Contact Plating | Tin |
| Continuous Drain Current (ID) | -3.5 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | -100 V |
| Drain to Source Resistance | 108 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | -100 V |
| Element Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Height | 1.17 mm |
| Input Capacitance | 1.48 nF |
| Max Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 52 W |
| Min Operating Temperature | -50 °C |
| Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Power Dissipation | 3.7 W |
| Radiation Hardening | No |
| Rds On Max | 134 mΩ |
| REACH SVHC | Unknown |
| Resistance | 134 mΩ |
| Rise Time | 110 ns |
| Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Threshold Voltage | -1 V |
| Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Width | 3.3 mm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 2,245
出荷予定日:2025/08/25 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2025/08/25 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
入荷予定数: 0
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 353.19 |
| 10 - 49 | ¥ 221.66 |
| 50 - 99 | ¥ 148.83 |
| 100 - 299 | ¥ 139.73 |
| 300 - 499 | ¥ 133.66 |
| 500 - 999 | ¥ 132.44 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 131.53 |
| 2,000 - | ¥ 131.08 |
