RJ1P10BATTL1
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ROHM |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | MOSFET（金属酸化物） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 100V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 6V、10V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 105A(Tc) |
| 電力散逸（最大） | 16600 pF @ 50 V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 201W（Tc） |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 11.9ミリオーム @ 50A、10V |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | 385 nC @ 10 V |
| 使用温度範囲 | ±20V |
| 用途 | 150°C |
| デバイスパッケージ | 面実装 |
| 技術 | TO-263AB |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 100
出荷予定日:2026/10/20 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/10/20 当社出荷予定
MOQ:10
SPQ:10
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 10 - 49 | ¥ 500 |
| 50 - 99 | ¥ 467 |
| 100 - 499 | ¥ 434 |
| 500 - 799 | ¥ 400 |
| 800 - 1,599 | ¥ 334 |
| 1,600 - 3,999 | ¥ 308 |
| 4,000 - 7,999 | ¥ 267 |
| 8,000 - | ¥ 250 |