QS6M3-TR
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V、20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 1.5A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 80pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1.25W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 230ミリオーム @ 1.5A、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.5V @ 1mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 1.6nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | TSMT6（SC-95） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 485
出荷予定日:2026/11/02 当社出荷予定
MOQ:94
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 94 - 939 | ¥ 156 |
| 940 - 4,699 | ¥ 155.43 |
| 4,700 - 9,399 | ¥ 149.49 |
| 9,400 - 46,999 | ¥ 148.3 |
| 47,000 - 93,999 | ¥ 147.46 |
| 94,000 - 187,999 | ¥ 146.7 |
| 188,000 - | ¥ 146.53 |
