NE3210S01-T1B
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 RF FET |
| メーカー名 | RENESAS |
| 電圧 - 定格 | 4 V |
| 電圧 - テスト | 2 V |
| 定格電流(A) | 15 mA |
| 電流 - テスト | 10 mA |
| 周波数 | 12GHz |
| ゲイン | 13.5dB |
| 技術 | GaAs HJ-FET |
| 雑音指数 | 0.35dB |
| デバイスパッケージ | 4-SMD |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 3,841
出荷予定日:2026/03/23 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/03/23 当社出荷予定
MOQ:100
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 100 - 999 | ¥ 2,213.33 |
| 1,000 - 4,999 | ¥ 2,208.87 |
| 5,000 - | ¥ 2,205.3 |




