J112
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詳細は製品仕様をご覧ください。
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 JFET |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| 電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ） | 5 V @ 1 μA |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 35 V |
| 電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss） | 5 mA @ 15 V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 5pF @ 10V（VGS） |
| 抵抗 - RDS（On） | 50 Ohms |
| 電力 - 最大 | 350 mW |
| 使用温度範囲 | -65°C～150°C（TJ） |
| 取り付けタイプ | スルーホール |
| デバイスパッケージ | TO-92-3 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 17,720
出荷予定日:2026/06/03 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/06/03 当社出荷予定
MOQ:676
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 676 - 6,759 | ¥ 39.27 |
| 6,760 - 33,799 | ¥ 38.84 |
| 33,800 - 67,599 | ¥ 38.13 |
| 67,600 - 337,999 | ¥ 38.08 |
| 338,000 - 675,999 | ¥ 38.04 |
| 676,000 - | ¥ 37.98 |
