製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | INFINEON |
| シリーズ | HEXFETR |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 9.2A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1740pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 16.3ミリオーム @ 9.2A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.4V @ 25μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 38nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | 2Pチャンネル（デュアル） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-SO |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 4,000
出荷予定日:2025/09/09 当社出荷予定
15:00 までのオーダーで2025/09/09 当社出荷予定
MOQ:4,000
SPQ:4,000
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 4,000 - 7,999 | ¥ 130.13 |
| 8,000 - 11,999 | ¥ 122.7 |
| 12,000 - 15,999 | ¥ 115.21 |
| 16,000 - 23,999 | ¥ 104.04 |
| 24,000 - | ¥ 100.33 |
