IPB100N06S3-03
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | INFINEON |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | MOSFET（金属酸化物） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 55V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 10 V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 100A(Tc) |
| 電力散逸（最大） | 21620 pF @ 25 V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 300W（Tc） |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 3ミリオーム @ 80A、10V |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4V @ 230µA |
| Vgs（最大） | 480 nC @ 10 V |
| 使用温度範囲 | ±20V |
| 用途 | -55°C～175°C(TJ) |
| デバイスパッケージ | 面実装 |
| 技術 | PG-TO263-3-2 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 15
出荷予定日:2026/10/27 当社出荷予定
16:00 までのオーダーで2026/10/27 当社出荷予定
MOQ:12
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 12 - 119 | ¥ 1,218.89 |
| 120 - 599 | ¥ 1,174.3 |
| 600 - 1,199 | ¥ 1,162.41 |
| 1,200 - 5,999 | ¥ 1,153.49 |
| 6,000 - 11,999 | ¥ 1,152 |
| 12,000 - 23,999 | ¥ 1,149.03 |
| 24,000 - 47,999 | ¥ 1,147.54 |
| 48,000 - | ¥ 1,146.35 |