製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | INFINEON |
| シリーズ | CoolSIC? M1 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 24A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 496 pF @ 400 V |
| 電力散逸（最大） | 110W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 141ミリオーム @ 8.9A、18V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.7V @ 2.6mA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 15 nC @ 18 V |
| Vgs（最大） | +23V、-5V |
| 使用温度範囲 | -55°C～175°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| 技術 | SiCFET（炭化ケイ素） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 3,000
出荷予定日:2026/07/23 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/07/23 当社出荷予定
MOQ:1,000
SPQ:1,000
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1,000 - 9,999 | ¥ 619.19 |
| 10,000 - | ¥ 618.38 |