GT100N12T
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | Goford Semiconductor |
| シリーズ | SGT |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 120V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 70A(Tc) |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 3050 pF @ 60 V |
| 電力散逸（最大） | 100W（Tc） |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 10ミリオーム @ 35A、10V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | スルーホール |
| デバイスパッケージ | TO-220 |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| FET機能 | 標準 |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 3,000
出荷予定日:2026/10/05 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/10/05 当社出荷予定
MOQ:50
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 50 - 14,999 | ¥ 106.95 |
| 15,000 - 29,999 | ¥ 83.97 |
| 30,000 - | ¥ 75.46 |