GP2S40JJ000F
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製品スペック
| Case/Package | PDIP |
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 35 V |
| Fall Time | 50 µs |
| Forward Current | 20 mA |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Collector Current | 20 mA |
| Max Operating Temperature | 85 °C |
| Min Operating Temperature | -25 °C |
| Mount | Through Hole |
| Number of Pins | 4 |
| Output Type | Phototransistor |
| Response Time | 50 µs |
| Reverse Voltage | 6 V |
| Rise Time | 50 µs |
| Sensing Distance | 3.5052 mm |
| Wavelength | 950 nm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 21,493
出荷予定日:2025/08/20 当社出荷予定
MOQ:100
SPQ:100
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 100 - 999 | ¥ 414.72 |
| 1,000 - 4,999 | ¥ 410.26 |
| 5,000 - 9,999 | ¥ 408.78 |
| 10,000 - 49,999 | ¥ 407.59 |
| 50,000 - 99,999 | ¥ 406.69 |
| 100,000 - | ¥ 405.98 |