GP1S094HCZ0F
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製品スペック
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 35 V |
| Contact Plating | Copper, Tin |
| Fall Time | 150 µs |
| Forward Current | 50 mA |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Height | 4.8 mm |
| Input Current | 20 mA |
| Lead Free | Lead Free |
| Max Collector Current | 20 mA |
| Max Operating Temperature | 85 °C |
| Max Power Dissipation | 100 mW |
| Min Operating Temperature | -25 °C |
| Mount | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Output Configuration | Phototransistor |
| Output Current | 20 mA |
| Output Type | Phototransistor |
| Output Voltage | 35 V |
| Power Dissipation | 100 mW |
| Radiation Hardening | No |
| REACH SVHC | Unknown |
| Response Time | 50 µs |
| Reverse Breakdown Voltage | 6 V |
| Reverse Voltage (DC) | 6 V |
| Rise Time | 150 µs |
| Sensing Distance | 2.9972 mm |
| Wavelength | 950 nm |
| Width | 2.6 mm |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 5,391
出荷予定日:2026/10/14 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/10/14 当社出荷予定
MOQ:185
SPQ:5
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 185 - 1,849 | ¥ 65.87 |
| 1,850 - 9,249 | ¥ 64.02 |
| 9,250 - 18,499 | ¥ 62.83 |
| 18,500 - 92,499 | ¥ 61.94 |
| 92,500 - 184,999 | ¥ 61.53 |
| 185,000 - 369,999 | ¥ 61.23 |
| 370,000 - 739,999 | ¥ 61.14 |
| 740,000 - | ¥ 61.06 |
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出荷予定日：2026/10/05 当社出荷予定
出荷元：N/A
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SPQ：1
在庫タイプ： 品質保証
コアスタッフ型番：st37928936
コアスタッフポイント：2.0
出荷予定日：2026/10/20 当社出荷予定
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MOQ：31
SPQ：1
在庫タイプ： 品質保証
コアスタッフ型番：st66086848
出荷予定日：2026/10/16 当社出荷予定
17:00 までのオーダーで2026/10/16 当社出荷予定
出荷元：N/A
在庫数：92
MOQ：92
SPQ：1
在庫タイプ： 品質保証
コアスタッフ型番：st76360603
